[发明专利]电子器件阵列

权利要求书

1.一种制造电子器件阵列的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电子器件的一个或多个第一导电元件以及在所述衬底上形成第二电子器件的一个或多个第二导电元件；在衬底和第一及第二导电元件上形成沟道材料层以提供第一沟道，用于所述第一电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动，以及提供第二沟道用于所述第二电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动；其中该方法还包括利用照射技术以在单一步骤中减小在第一和第二导电元件之间的一个或多个区域中的沟道材料层的一个或多个选定部分的导电性的步骤(a)。

2.权利要求1中记载的方法，其中，

所述步骤(a)包括使用照射技术以在单一步骤中去除沟道材料层的所述一个或多个选定部分，从而减小所述一个或多个选定部分的导电性。

3.权利要求2中记载的方法，其中，

所述步骤(a)以不照射第一和第二导电元件上方的沟道材料层的任何部分的方式进行。

4.权利要求1～3中任一项记载的方法，其中，

沟道材料为半导体材料。

5.权利要求1中记载的方法，其中，

所述步骤(a)包括使用所述照射技术以在位于第一和第二导电元件之间的沟道材料层的一个或多个选定部分、和/或位于沟道材料层的所述一个或多个选定部分之下的衬底的各个部分局部地产生热，其中所述热引起沟道材料的光致发热和/或光化学变性处理，用于降低沟道材料层的所述一个或多个选定部分的导电性。

6.上述权利要求中任一项记载的方法，其中，

所述步骤(a)包括烧蚀所述沟道材料的所述部分。

7.权利要求6中记载的方法，其中，

利用紫外激光辐射烧蚀所述沟道材料的所述部分。

8.权利要求1中记载的方法，其中，

所述步骤(a)中的一个或多个选定部分包括在垂直于所述第一和第二导电元件之间的方向上延伸的一条或多条线。

9.权利要求1中记载的方法，还包括：

在衬底上形成一对第一导电元件和一对第二导电元件；其中沟道材料层在所述一对第一导电元件之间提供所述第一沟道和在所述一对第二导电元件之间提供所述第二沟道。

10.权利要求9中记载的方法，其中，

所述沟道材料层中的所述选定部分与所述第一和第二沟道的间距大于10微米。