[发明专利]双沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 201110142058.6 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102201359A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种双沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：
提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在所述的顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第一掩膜层；
以图案化的第一掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层，衬垫层和顶层硅至暴露出掩埋绝缘层，形成第一开口；
去除第一掩膜层，在所述硬掩膜层上以及第一开口内形成牺牲层；
去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层；
在所述硬掩膜层以及牺牲层上形成图案化的第二掩膜层，以图案化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第二开口，第二开口区域与第一开口区域部分重叠；
刻蚀第二开口内的衬垫层以及部分顶层硅达到设定深度；
去除所述第二掩膜层，硬掩膜层以及牺牲层，形成第一沟槽和第二沟槽。
2.根据权利要求1所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层采用低温化学气相沉积法形成。
4.根据权利要求2所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，去除部分牺牲层至暴露出第一掩膜层的工艺为化学机械抛光工艺。
5.根据权利要求1所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为BARC层。
6.根据权利要求5所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述BARC层采用旋涂并烘烤的工艺形成。
7.根据权利要求2所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层的工艺为干法刻蚀工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
