[发明专利]一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法，包括在氩气气氛下，采用磁控溅射在玻璃基材表面形成防指纹薄膜，其中，磁控溅射采用的靶材含有二氧化硅和含氟有机物。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述靶材为二氧化硅和聚四氟乙烯的混合靶材，其中，以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯的摩尔比为0.1-1：1。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述靶材通过如下方法制备得到：将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合，然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到靶材。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射方法为：将真空室抽真空至5.0×10^-3Pa以下，然后充入氩气，直至气压为0.3-2.0Pa，调整偏压为50-500V，占空比为15-90%，以300-3000W的功率溅射为5-25min。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射为射频磁控溅射，所述磁控溅射在恒定的功率下进行。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氩气的流量为200-500sccm。

7.根据权利要求1、4、6中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射时还通入反应气体，所述反应气体为SiF₄和/或CF₄；所述氩气与反应气体的流量比为1：0.1-1。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行所述磁控溅射之前，还包括对玻璃基材进行超声波清洗处理。

9.根据权利要求1、2、3、4、8中任意一项所述的制备方法，其特征在于，在进行所述磁控溅射之前，还包括对玻璃基材进行离子轰击处理；所述离子轰击处理方法为：将玻璃基材放置在工件架上，将真空室抽真空至1.0×10^-2-8.0×10^-2Pa，充入氩气，至真空室气压为0.1-5.0Pa，然后在偏压为200-1000V、占空比为20-70%的条件下轰击5-20min。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基材表面形成的防指纹薄膜厚度为10-30nm。