[发明专利]薄膜有效
申请号: | 201110144307.5 | 申请日: | 2011-05-31 |
公开(公告)号: | CN102729142A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 廖建茂;陈逸男;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/11 | 分类号: | B24B37/11 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜,尤其涉及一种用于安装在化学机械研磨机的研磨头上的薄膜。
背景技术
随着元件尺寸持续缩减,微影曝光解析度相对增加,伴随着曝光景深的缩减,对于晶片表面的高低起伏程度的要求更为严苛。因此在进入深亚微米的制程时,晶片的平坦化就依赖化学机械研磨制程来完成,它独特的非等向性磨除性质除了用于晶片表面轮廓的平坦化之外,亦可应用于垂直及水平金属内连线的镶嵌结构的制作、前段制程中元件浅沟渠隔离制作及先进元件的制作、微机电系统平坦化和平面显示器制作等。
化学机械研磨主要是利用研浆中的化学助剂(reagent),在晶圆的正面上产生化学反应,形成易研磨层,再配合晶圆在研磨垫上,藉由研浆中的研磨粒(abrasive particles)辅助的机械研磨,将易研磨层的突出部分研磨,反复上述化学反应与机械研磨,即可形成平坦的表面。
然而,当化学机械研磨机的研磨头将晶圆置放于研磨垫上时,研磨头的固定环(retainer ring)会压迫研磨垫,造成研磨垫产生变形。在对晶圆进行研磨时,研磨垫因变形而产生的突起部会对晶圆边缘造成压力,而使晶圆边缘的研磨速率过快,且研磨垫的变形会使得晶圆上的部分区域的研磨速率较慢,然而这些现象会使得经研磨后的晶圆的表面平坦度不佳。
发明内容
本发明提供一种薄膜,其可有效地解决研磨速率不均的问题。
本发明提出一种薄膜,适用于安装在化学机械研磨机的研磨头上,且薄膜包括主要部分及边缘部分。边缘部分位于主要部分的边缘,其中主要部分与边缘部分之间的第一夹角为钝角。
依照本发明的一实施例所述,在上述的薄膜中,研磨头的框架包括框架主体及固定环,薄膜安装于框架主体上,且固定环围绕且连接框架主体,当固定环压迫研磨垫时,使得位于固定环内部的研磨垫形成突起部,而在研磨垫的平坦部与突起部之间形成第二夹角,第一夹角例如是大体上等于第二夹角。
依照本发明的一实施例所述,在上述的薄膜中,边缘部分的作用范围例如是大体上等于研磨垫的突起部的所在范围。
依照本发明的一实施例所述,在上述的薄膜中,第二夹角例如是90度至180度。
依照本发明的一实施例所述,在上述的薄膜中,第一夹角例如是90度至180度。
依照本发明的一实施例所述,在上述的薄膜中,薄膜的材料例如是橡胶。
依照本发明的一实施例所述,在上述的薄膜中,主要部分与边缘部分例如是一体成型。
基于上述,在本发明所提出的薄膜中,由于薄膜的主要部分与边缘部分之间的夹角为钝角,此种薄膜的设计方式可有效地预先释放(pre-release)研磨垫的突起部压迫在基材边缘上的压力,因此可提升基材各位置的研磨速率的一致性,进而使得经研磨后的基材具有较佳的表面平坦度。
为让本发明的上述特征能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一实施例的薄膜的立体剖面图。
图2为将图1的薄膜安装在化学机械研磨机的研磨头上的示意图。
附图标记:
100:薄膜
102:主要部分
104:边缘部分
200:化学机械研磨机
202:研磨头
204:框架
206:框架主体
208:固定环
210:研磨垫
212:突起部
214:平坦部
EL:延伸线
L1、L2、L3、L4:长度延伸方向
S:容物空间
W:晶圆
θ1:第一夹角
θ2:第二夹角
具体实施方式
图1为本发明的一实施例的薄膜的立体剖面图。
请同时参照图1,薄膜100适用于安装在化学机械研磨机的研磨头上。薄膜100包括主要部分102及边缘部分104。边缘部分104位于主要部分102的边缘。薄膜100的材料例如是橡胶。主要部分102与边缘部分104例如是一体成型。
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