[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成鳍，以及在所述鳍之外的衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层和鳍上形成横跨所述鳍的伪栅条，以及在伪栅条之外的第一介质层和鳍上形成覆盖层，所述覆盖层上表面与所述伪栅条上表面在同一平面；

去除伪栅条两侧的部分覆盖层和第一介质层，以形成源漏窗口，所述源漏窗口内包括伪栅条两侧的鳍；

填充所述源漏窗口，以与伪栅条两侧的鳍一同形成源漏区；

去除部分伪栅条及伪栅条下的第一介质层，以形成栅区开口，所述栅区开口包括伪栅条下的鳍；

填充所述栅区开口形成覆盖所述鳍的栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成源漏区的步骤为：通过外延生长的方法，填充所述源漏窗口，以与伪栅条两侧的鳍一同形成源漏区。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成伪栅条时，还包括步骤：在伪栅条的侧壁形成侧墙。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沿鳍的方向上，所述栅极的边沿与所述源漏区的边沿不在一条直线上。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括第二介质层和其上的第三介质层，第二介质层和第三介质层采用不同的介质材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第三介质层、第二介质层及侧墙采用互不相同的介质材料。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，在形成鳍时，还包括步骤：在鳍上形成帽层；之后的步骤为：

在所述第一介质层和帽层上形成横跨所述鳍的伪栅条，以及在伪栅条之外的第一介质层和帽层上形成覆盖层，所述覆盖层上表面与所述伪栅条上表面在同一平面；

去除伪栅条两侧的第一介质层、覆盖层及帽层，以形成源漏窗口。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的上表面与鳍的上表面齐平。