[发明专利]微环境的垂直层流系统无效
| 申请号： | 201110144954.6 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102254790A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 韩丽娜;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 环境 垂直 层流 系统 | ||
1.一种微环境的垂直层流系统，其特征在于，包括：
形状为长方体的腔室；
风机模块(1)，其内设置有至少一个风机，所述风机模块(1)设置在所述腔室内；
导流装置(2)，其设置在所述腔室内；
均流装置(5)，其设置在所述腔室内，并且设置在所述风机模块(1)和导流装置(2)的下方；
设置在所述腔室内的内地面上的过滤器模块(6)和龙骨(13)。
2.如权利要求1所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述风机模块(1)通过吊装单元(7)设置在所述腔室的内顶面或内侧面，所述风机为离心式风机。
3.如权利要求2所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述导流装置(2)设置在所述过滤器模块(6)之上，所述风机模块(1)之下的所述腔室的内顶面、内底面和内侧面中的至少一个上。
4.如权利要求3所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述均流装置(5)设置在所述过滤器模块(6)之上的所述腔室内底面和内侧面中的至少一个上。
5.如权利要求4所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述导流装置(2)上设置有吸音装置(4)。
6.如权利要求5所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述导流装置(2)为导流板。
7.如权利要求6所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述吸音装置(4)为吸音板。
8.如权利要求7所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述导流板为一层或多层。
9.如权利要求1所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述过滤器模块(6)与所述龙骨(13)密封配合。
10.如权利要求1-9中任一项所述的微环境的垂直层流系统，其特征在于，所述腔室上设置有压力反馈装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
