[发明专利]一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂及制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201110145001.1 申请日: 2011-05-19
公开(公告)号: CN102274729A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 李硕 申请(专利权)人: 烟台大学
主分类号: B01J23/843 分类号: B01J23/843;B01D53/86;B01D53/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 264005 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 cu 掺杂 tio sub 耦合 半导体 光催化剂 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20,其特征在于:所述的耦合型半导体光催化剂中的两种半导体,一种为Cu掺杂TiO2(Cu-TiO2),另一种为ZnBi12O20

2.根据权力要求1所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20的制备方法,其特征在于:不断搅拌下,将溶解有Cu(NO3)2·3H2O的去离子水、硝酸和无水乙醇的混和液滴入钛酸四丁酯和无水乙醇的混合液,加入ZnBi12O20粉体,干燥后,焙烧,冷却得成品。

3.根据权力要求2所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20的制备方法,其特征在于:Cu-TiO2中Cu掺杂量为0.6Wt%。

4.根据权力要求2所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20的制备方法,其特征在于:Cu-TiO2/ZnBi12O20中Cu-TiO2所占比例为3.0Wt%~7.0Wt%。

5.根据权力要求1所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20,其特征在于:将此光催化剂用于气相有机污染物的催化转化。

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