[发明专利]一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂及制备方法和应用无效
申请号: | 201110145001.1 | 申请日: | 2011-05-19 |
公开(公告)号: | CN102274729A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 李硕 | 申请(专利权)人: | 烟台大学 |
主分类号: | B01J23/843 | 分类号: | B01J23/843;B01D53/86;B01D53/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264005 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cu 掺杂 tio sub 耦合 半导体 光催化剂 制备 方法 应用 | ||
1.一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20,其特征在于:所述的耦合型半导体光催化剂中的两种半导体,一种为Cu掺杂TiO2(Cu-TiO2),另一种为ZnBi12O20。
2.根据权力要求1所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20的制备方法,其特征在于:不断搅拌下,将溶解有Cu(NO3)2·3H2O的去离子水、硝酸和无水乙醇的混和液滴入钛酸四丁酯和无水乙醇的混合液,加入ZnBi12O20粉体,干燥后,焙烧,冷却得成品。
3.根据权力要求2所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20的制备方法,其特征在于:Cu-TiO2中Cu掺杂量为0.6Wt%。
4.根据权力要求2所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20的制备方法,其特征在于:Cu-TiO2/ZnBi12O20中Cu-TiO2所占比例为3.0Wt%~7.0Wt%。
5.根据权力要求1所述的Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20,其特征在于:将此光催化剂用于气相有机污染物的催化转化。
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