[发明专利]线路结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110145311.3 申请日: 2011-05-31
公开(公告)号: CN102811548A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 张义民;许传进;林柏伸 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H05K3/46
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 线路 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种线路结构,其特征在于,包括:

一基板;

一第一导电层,配置于该基板上;

一绝缘层,配置于该第一导电层上并覆盖该基板;

一负型光致抗蚀剂层,配置于该绝缘层上,且具有一侧壁,该侧壁具有一邻近该绝缘层的凹槽;

一补偿层,覆盖该负型光致抗蚀剂层,并填入该凹槽中;以及

一第二导电层,配置于该补偿层上并延伸至该绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的线路结构,其特征在于,该补偿层为一正型光致抗蚀剂层。

3.根据权利要求1所述的线路结构,其特征在于,该补偿层具有一侧边部,该侧边部覆盖该负型光致抗蚀剂层的该侧壁,且该侧边部朝向一远离该绝缘层的方向渐缩。

4.根据权利要求1所述的线路结构,其特征在于,该补偿层具有一覆盖该负型光致抗蚀剂层的该侧壁的侧边部,且该负型光致抗蚀剂层的该侧壁的粗糙度大于该侧边部的表面的粗糙度。

5.根据权利要求4所述的线路结构,其特征在于,该侧边部的表面为一光滑的曲面或是一光滑的平面。

6.根据权利要求1所述的线路结构,其特征在于,该补偿层的填入该凹槽中的一填入部位于该负型光致抗蚀剂层与该绝缘层之间。

7.根据权利要求6所述的线路结构,其特征在于,该填入部直接接触该绝缘层。

8.一种线路结构的制作方法,其特征在于,包括:

在一基板上形成一第一导电层;

在该第一导电层上形成一绝缘层,且该绝缘层覆盖该基板;

在该绝缘层上形成一负型光致抗蚀剂层,该负型光致抗蚀剂层具有一侧壁,且该侧壁具有一邻近该绝缘层的凹槽;

形成一覆盖该负型光致抗蚀剂层的补偿层,且该补偿层填入该凹槽中;以及

在该补偿层上形成一第二导电层,且该第二导电层延伸至该绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该负型光致抗蚀剂层的形成步骤包括:

于该绝缘层上形成一负型光致抗蚀剂材料层;以及

对该负型光致抗蚀剂材料层进行一光刻制程,以图案化该负型光致抗蚀剂材料层。

10.根据权利要求8所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该补偿层的材质包括正型光致抗蚀剂材料。

11.根据权利要求10所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该补偿层的形成步骤包括:

于该绝缘层上形成一液态的正型光致抗蚀剂材料,且该液态的正型光致抗蚀剂材料填入该凹槽中;

对该液态的正型光致抗蚀剂材料进行一烘烤制程,以形成一正型光致抗蚀剂材料层,且该正型光致抗蚀剂材料层覆盖该负型光致抗蚀剂层;以及

对该正型光致抗蚀剂材料层进行一光刻制程,以移除该正型光致抗蚀剂材料层的未覆盖该负型光致抗蚀剂层的部分。

12.根据权利要求10所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该负型光致抗蚀剂层与该补偿层分别以一第一曝光显影制程以及一第二曝光显影制程制得,且该第一曝光显影制程以及该第二曝光显影制程的光罩图案大致上互补。

13.根据权利要求8所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该第二导电层的形成方法包括溅镀。

14.根据权利要求8所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该补偿层具有一侧边部,该侧边部覆盖该负型光致抗蚀剂层的该侧壁,且该侧边部朝向一远离该绝缘层的方向渐缩。

15.根据权利要求8所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该补偿层具有一覆盖该负型光致抗蚀剂层的该侧壁的侧边部,且该负型光致抗蚀剂层的该侧壁的粗糙度大于该侧边部的表面的粗糙度。

16.根据权利要求8所述的线路结构的制作方法,其特征在于,该补偿层的填入该凹槽中的一填入部位于该负型光致抗蚀剂层与该绝缘层之间。

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