[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底表面形成替代栅极结构，替代栅极结构两侧形成有侧墙，所述衬底上还形成有与替代栅极结构顶部齐平的第一层间介质层；

以第一层间介质层为掩膜，去除替代栅极结构，形成沟槽；

在沟槽底部形成栅介质层后，于第一层间介质层上形成金属层，且所述金属层填充满沟槽；

研磨金属层至露出第一层间介质层后，过研磨金属层，形成金属栅极，所述金属栅极的高度低于第一层间介质层；

于第一层间介质层和金属栅极上形成保护层；

研磨保护层至露出第一层间介质层；

在第一层间介质层和保护层上形成第二层间介质层后，于所述第二层间介质层内形成贯穿其厚度的导电插塞，所述导电插塞与保护层连通。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为TiN或Ti或Ta或TaN。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，经过研磨后，所述保护层位于金属栅极上的厚度为1～15nm。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的方法为物理气相沉积法或化学气相沉积法。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝。

6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成所述金属层的方法为化学气相沉积法。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，研磨金属层、保护层采用的方法是化学机械研磨法。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，过研磨金属层，使金属层的上表面低于第一层间介质层的表面约0～20nm。

9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，研磨保护层后，还包括步骤：过研磨保护层。

10.一种半导体器件，包括：衬底，位于衬底上的第一层间介质层，位于衬底上且形成于第一层间介质层内的金属栅极，位于衬底上且在金属栅极两侧的侧墙，位于第一层间介质层上覆盖金属栅极和侧墙的第二层间介质层，位于第二层间介质层内的导电插塞，其特征在于，所述金属栅极与第二层间介质层之间具有保护层，所述保护层与导电插塞连通。