[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极、装设于基板上并与电极电连接的发光二极管芯片以及设于基板上环绕所述发光二极管芯片的封装物，所述基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述发光二极管芯片设置于基板的第一表面上，其特征在于：还包括一个覆盖部，该覆盖部围设于该发光二极管封装结构的外围并密封所述基板、电极与基板上的封装物相接合的接缝，该覆盖部的材料为钛硅酸盐树脂，其反应单体包括庚烷，稀丙基三甲氧基硅烷，正钛酸四丁酯及正硅酸甲酯，质量百分比分别为，庚烷大于60.0%，稀丙基三甲氧基硅烷7.0%至13.0%、正钛酸四丁酯5.0%至10.0%以及正硅酸甲酯小于0.1%。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装物包含一将所述发光二极管芯片覆盖在基板上的封装层。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述电极至少为两个，且自基板的第一表面延伸至第二表面，所述接缝形成于所述封装层与基板及电极的接合处。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述覆盖部覆盖于该接缝，并以该接缝为中心分别向基板和封装层背向延伸，且该覆盖部未延伸至该基板的第二表面和封装层的顶面。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述覆盖部的折射率小于封装层的折射率。

6.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装物还包括一个环绕所述封装层的反射杯，该反射杯的底面与基板的第一表面接合，所述接缝形成于反射杯与所述基板及电极于基板第一表面的对接处。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述覆盖部覆盖于该接缝，并以该接缝为起点分别自所述基板和反射杯背向延伸，且该覆盖部未延伸至该基板的第二表面和反射杯的顶面。

8.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供形成有电极的基板，该基板具有第一表面和相对的第二表面，该电极形成在第一表面上；

将发光二极管芯片固定于基板的第一表面上，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接；

形成一封装层于基板上，覆盖所述发光二极管芯片；

形成覆盖部于发光二极管封装结构的外围，该覆盖部密封基板、电极与基板上设置的封装层相接合的接缝，该覆盖部的材料为钛硅酸盐树脂，其反应单体及含量包括，庚烷大于60.0%，稀丙基三甲氧基硅烷7.0%至13.0%、正钛酸四丁酯5.0%至10.0%以及正硅酸甲酯小于0.1%。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述覆盖部覆盖于所述接缝，并以该接缝为起点分别自基板和封装层背向延伸，该覆盖部未延伸至该基板的第二表面，也不阻挡发光二极管芯片的射出的光线。

10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：将发光二极管芯片固定于基板上的步骤之前还包括在基板的第一表面上形成一个反射杯，所述覆盖部覆盖在基板及电极与反射杯的接缝处。

11.如权利要求8-10项中任意一项所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述覆盖部是采用浸泡或喷涂的方式制成。