[发明专利]存储器单元

权利要求书

1.一种非易失性存储器单元(200)，包括：浮置栅极晶体管(206)，所述浮置栅极晶体管包括位于控制栅极(14)和第一沟道区(232)之间的浮置栅极(10)；以及存取栅极晶体管(208)，所述存取栅极晶体管包括存取栅极(22)和第二沟道区(234)，所述第一沟道区(232)包括具有第一剂量水平(234)的第一注入物(242)，并且所述第二沟道区包括具有第二剂量水平的第二注入物(244)，所述第一剂量水平小于所述第二剂量水平。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元(200)，其中所述第一沟道区(232)和第二沟道区(234)形成在公共阱(36)中。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器单元(200)，第一剂量水平在0至5e¹¹cm^-2的范围之内。

4.根据任一前述权利要求所述的非易失性存储器单元(200)，其中所述第二剂量水平在1e¹²至5e¹³cm^-2的范围之内。

5.根据任一前述权利要求所述的非易失性存储器单元(200)，其中所述第一注入物(242)和第二注入物(244)是彼此相同的物质。

6.根据任一前述权利要求所述的非易失性存储器单元(200)，包括多个存取栅极晶体管(208)和/或多个浮置栅极晶体管(206)。

7.一种存储器阵列，包括多个根据任一前述权利要求所述的非易失性存储器单元(200)。

8.一种制造非易失性存储器单元(200)的方法，所述非易失性存储器单元包括：浮置栅极晶体管(206)，所述浮置栅极晶体管包括位于控制栅极和第一沟道区之间的浮置栅极；以及存取栅极晶体管(208)，所述存取栅极晶体管包括存取栅极和第二沟道区，所述第一沟道区包括具有第一剂量水平的第一注入物，并且所述第二沟道区包括具有第二剂量水平的第二注入物，所述第一剂量水平小于所述第二剂量水平，所述方法包括以下步骤：按照第一剂量将离子注入到衬底中；对所述衬底进行遮挡以形成遮挡部分和未遮挡部分；将另外的离子注入到未遮挡部分以在衬底中形成具有离子第二剂量水平的区域，所述第二剂量水平大于第一剂量水平，从而形成第一和第二注入物。

9.根据权利要求8所述的方法，包括另外的步骤：暴露所述衬底的遮挡部分，然后在所述衬底上生长隧穿氧化物层。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中对所述衬底进行遮挡以形成遮挡部分和未遮挡部分的步骤包括在所述衬底的一部分上沉积掩模层。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，包括另外的步骤：在所述隧穿氧化物层上沉积第一导电层。

12.根据权利要求11所述的方法，包括另外的步骤：在所述第一导电层上沉积电介质层，然后在所述电介质层上沉积第二导电层。