[发明专利]具有高读回分辨率的头有效
| 申请号： | 201110148968.5 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102354502B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | M·班纳可利;K·A·瑞弗钦;D·麦卡恩;V·B·萨波日尼科夫 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/11 | 分类号： | G11B5/11;G11B5/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 高读回 分辨率 | ||
1.一种用于磁记录的装置，包括：
第一读取屏障以及第二读取屏障；
读取器叠层，位于第一和第二读取屏障之间；
第一和第二读取屏障各自包括在空气承载表面上的几何特征以控制读取器叠层的自由层中的磁场通量线，以帮助增强最靠近读取器叠层的第一和第二读取屏障的区域中的通量关闭，
其中，所述几何特征是所述空气承载表面上的第一和第二读取屏障的每一个中的高磁导率层和低磁导率层之间的部分间隔。
2.一种用于磁记录的装置，包括：
第一读取屏障以及第二读取屏障；
读取器叠层，位于第一和第二读取屏障之间；
所述第一和第二读取屏障各自包括最靠近读取器叠层的薄型高磁导率层和低磁导率层，所述第一和第二读取屏障各自进一步包括在空气承载表面上的几何特征，以帮助增强最靠近读取器叠层的第一和第二读取屏障的区域中的通量关闭，
其中，所述几何特征是所述空气承载表面上的第一和第二读取屏障的每一个中的高磁导率层和低磁导率层之间的部分间隔。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，进一步包括：在第一或第二读取屏障的至少一个中的第二高磁导率层。
4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述最靠近读取器叠层的薄型高磁导率层包括具有高饱和力矩和在张力强度下的低磁弹性的材料。
5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述最靠近读取器叠层的薄型高磁导率层包括钴Co、镍Ni和铁Fe的合金。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述Co、Ni和Fe的合金包括：质量百分比70至80之间的Co、质量百分比8至18之间的Ni以及质量百分比7至17之间的Fe。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述Co、Ni和Fe的合金包括：质量百分比75的Co、质量百分比13的Ni以及质量百分比12的Fe。
8.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述最靠近读取器叠层的薄型高磁导率层的厚度是大约40纳米。
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