[发明专利]具有高读回分辨率的头

说明书

背景技术

在磁数据存储和提取系统中，磁记录头通常包括读取器部分(即，读取头)，读取器部分具有磁阻(MR)传感器，用于提取存储在磁性介质(诸如磁盘)上的磁性编码信息。为了确保MR传感器仅仅读取位于其正下方的在磁盘的特定轨道上的信息，在读取头上放置磁屏障。

随着不断增加的信息被存储在磁性介质上，MR传感器将难以单独读取所存储的信息而不读取到来自邻近存储信息的噪声。因此，随着同一区域的密度增加，需要MR传感器的灵敏度和分辨率有着对应的增加。

本文多个实施例解决了上述问题，并提供了相对于现有技术而言的其他优势。

发明内容

在一个实施例中，一装置包括第一读取屏障和第二读取屏障，并且在第一和第二读取屏障之间提供读取器叠层。在该实施例中，第一和第二读取屏障各自包括最靠近读取器叠层的薄型高磁导率层以及低磁导率层，以控制读取器叠层的自由层中的磁场通量线。

在另一个实施例中，装置包括第一读取屏障和第二读取屏障，并且在第一和第二读取屏障之间提供读取器叠层。在该实施例中，第一和第二读取屏障各自包括在空气承载表面上的几何特征，以控制读取器叠层的自由层中的磁场通量线。

在还有一个实施例中，装置包括第一读取屏障和第二读取屏障，并且在第一和第二读取屏障之间提供读取器叠层。在该实施例中，第一和第二读取屏障各自包括最靠近读取器叠层的薄型高磁导率层和低磁导率层，第一和第二读取屏障各自进一步包括在空气承载表面上的几何特征。

这些和各种其他特征和优点将在阅读如下详细描述并查看相关附图时变得更为清楚易懂。

附图简述

图1是沿着与磁性读取头的空气承载表面(ABS)的面基本垂直的平面所截取的磁性读取头和磁性盘的横截面视图。

图2示出具有磁阻(MR)叠层的MR传感器的ABS视图。

图3是磁性读取头的横截面视图。

图4是根据一个实施例的磁性读取头的横截面视图。

图5a、6a、7a是沿着与磁性读取头的ABS平面基本垂直的平面所截取的不同磁性读取头的横截面视图。

图5b、6b、7b分别是图5a、6a、7a的读取头的ABS视图。

具体实施方式

图1是沿着与磁性读取头100的空气承载表面(ABS)的平面基本垂直的平面所截取的磁性读取头100和磁性盘101的横截面视图。如将在下文中进一步描述，所提出的实施例在诸如100之类的磁性读取头中有用。磁性盘101可以是垂直或纵向记录介质，且磁性读取头100与其对应。磁性读取头100加载在滑动块主体(衬底)102上，并以间隔104与其分隔开。磁性读取头100包括第一磁屏障106、磁阻(MR)传感器108、绝缘层110、以及第二磁屏障112。MR传感器108和绝缘层110位于底部和顶部屏障106和112之间，且MR传感器108邻近于磁性头100的ABS。

在图1的实施例中，为了向MR传感器108提供电流，第一和第二磁屏障106和112起到磁屏障和电极的双重功用。因此，第一和第二磁屏障106和112起到了向MR传感器108提供电连接并且提供对杂散磁场的磁屏障的双重功能。如以下将结合图2所讨论的，在图1的实施例中，感测电流以垂直于读取元件108平面的方向流过。

图2示出包括MR叠层200的MR传感器的ABS视图，其是MR传感器108的一特殊实施例。MR叠层200包括金属盖层202、自由层(FL)204、屏蔽层(BL)205、合成反铁磁(SAF)层209、反铁磁(AFM)钉扎层210和种子层211。SAF层209包括由钌(Ru)或其他所构成的层207所分隔开的基准层206和钉扎层(PL)208。MR叠层200位于第一屏障106和第二屏障112之间。

在操作中，感测电流IS通过电流垂直于平面(CPP)MR叠层200。感测电流I_S垂直于MR读取传感器的多个层的平面而流过，并经历与自由层的磁化方向之间的夹角的余弦成比例的阻抗。随后测量跨越CPP MR叠层的电压以确定阻抗的变化，并且结果信号被用于复原来自磁性介质的编码信息。应注意到，CPP MR叠层配置200是仅仅示例性的，且可使用CPP MR叠层200的其他多种层配置方式。

应注意到，本文多个实施例也可用于电流在平面内(CIP)读取头(没有示出)，其中感测电流在读取叠层的平面内流动。CIP读取头通常包括在读取传感器和读取屏障之间的额外的金属接触层、间隔层、等等。