[发明专利]一种制作位相型波带片的方法

权利要求书

1.一种制作位相型波带片的方法，其特征在于，包括：

制作基片；

在该基片上旋涂光刻胶，对该光刻胶进行光刻、曝光和显影，形成波带片的光刻胶图形；

在形成波带片的光刻胶图形的基片上沉积氮化硅层；

去除光刻胶并刻蚀基片，形成位相型波带片。

2.根据权利要求1所述的制作位相型波带片的方法，其特征在于，所述制作基片的步骤包括：

在清洁的石英玻璃衬底上，采用电子束蒸发方法蒸发铬Cr/金Au层，形成基片，其中Cr的厚度为5nm，Au的厚度为10nm。

3.根据权利要求1所述的制作位相型波带片的方法，其特征在于，所述在基片上旋涂光刻胶，对该光刻胶进行光刻、曝光和显影，形成波带片的光刻胶图形的步骤包括：

在基片上旋涂厚度为600nm的电子束光刻胶zep-A，并在烘箱中烘烤使其干燥，然后利用电子束在涂了电子束光刻胶zep-A的基片上轰击出所需的波带片图形；对形成的波带片图形进行曝光，然后使用显影液进行显影，在基片上形成波带片的光刻胶图形。

4.根据权利要求1所述的制作位相型波带片的方法，其特征在于，所述在形成波带片的光刻胶图形的基片上沉积氮化硅层的步骤包括：

采用等离子体气相沉积技术，在形成波带片的光刻胶图形的基片上沉积一层氮化硅层，该氮化硅层的厚度是波长的奇数倍。

5.根据权利要求4所述的制作位相型波带片的方法，其特征在于，所述沉积氮化硅层在120℃的温度下进行。

6.根据权利要求2所述的制作位相型波带片的方法，其特征在于，所述去除光刻胶并刻蚀基片，形成位相型波带片的步骤包括：

采用去胶液去除光刻胶，然后采用ICP刻蚀基片底层的铬金层，形成位相型波带片。