[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括一个封装层、至少一个半导体晶粒以及两个电极，所述封装层包覆所述半导体晶粒以及两个电极，所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接，并产生一个第一波长光线，其特征在于：所述封装层包括至少一种荧光粉以及一种光补偿物质，所述荧光粉产生一个第二波长激发光线，所述光补偿物质产生一个第三波长激发光线，所述荧光粉的热衰特性与所述光补偿物质的热衰特性相反。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述两个电极左右对称设置具有不同的极性，其中一个电极的顶面设置所述半导体晶粒，所述半导体晶粒通过导电线分别与所述两个电极电性连接。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体晶粒为发光二极管。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述荧光粉以及光补偿物质在所述封装层内均匀分布。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述荧光粉在所述封装层内均匀分布，所述光补偿物质设置在所述封装层的表层上，并对应于所述封装结构的出光面。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述封装层为透明材料，例如，环氧树脂(epoxy)、硅利康(silicon)或其相关混合物。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述荧光粉为YAG荧光粉或TAG荧光粉、硅酸盐(silicate)荧光粉、氮化物(nitride)荧光粉、氢气化物(oxy-hydrogen)荧光粉、硫化物(sulfides)荧光粉。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述光补偿物质可以为；四氯铜双二乙基铵盐(C₄H₁₈N₄CuCl₄)，其化学式结构为[(CH₃-CH₂)?2NH₂]₂CuCl₄ 。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述荧光粉的热衰特性是随温度增加所述激发光线的波长增加，而所述光补偿物质的热衰特性是随温度增加所述激发光线的波长减少。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述荧光粉的热衰特性是当温度增加所述激发光线的波长减少，而所述光补偿物质的热衰特性为当温度增加所述激发光线的波长增加。

11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体晶粒的第一波长光线配合所述荧光粉的第二波长激发光线以及所述光补偿物质的第三波长激发光线混光产生一个颜色光。