[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示器

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板中，栅极线与共同电极线的走向平行于所述栅极线与共同电极线所在区域的狭缝Slit状开口。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该阵列基板中，栅极线两侧的像素结构不同，其中，栅极线一侧的像素结构顺时针旋转180度得到栅极线另一侧的像素结构。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素的Slit状开口为封闭结构，像素的Slit状开口被导电薄膜包围，或者，所述像素的Slit状开口为单边开放结构，部分区域内Slit状开口未被导电薄膜包围。

4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，该阵列基板中，数据线与TFT的连接处与栅极线没有交叠。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，该方法包括：

制作出共同电级和栅极线层；

形成半导体层；

在半导体层上制作数据线层；

形成导电薄膜，导电薄膜上开设有狭缝Slit状开口，栅极线与共同电极线的走向平行于所述栅极线与共同电极线所在区域的狭缝Slit状开口。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，该阵列基板中，栅极线两侧的像素结构不同，其中，栅极线一侧的像素结构顺时针旋转180度得到栅极线另一侧的像素结构。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素的Slit状开口为封闭结构，像素的Slit状开口被导电薄膜包围，或者，所述像素的Slit状开口为单边开放结构，部分区域内Slit状开口未被导电薄膜包围。

8.根据权利要求5至7任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，该阵列基板中，所述数据线与TFT的连接处与栅极线没有交叠。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，该方法还包括：对阵列基板进行电学测试，TFT存在短路问题时，使用激光切割切断存在问题的TFT和数据线间的连接。

10.一种液晶显示器，其特征在于，该液晶显示器包括权利要求1至4任一项所述的阵列基板。