[发明专利]一种平板X射线探测器

权利要求书

1.一种平板X射线探测器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上包括多个TFT和光电二极管组成的阵列区域；

所述衬底上的栅层，所述栅层中包括TFT的底栅和电容下电极，所述电容下电极位于所述光电二极管区域的下方；

所述栅层上方的介质层，所述介质层覆盖在所述TFT和光电二极管区域；

位于光电二极管区域介质层上方的电容上电极，所述电容上电极与所述介质层和所述电容下电极形成电容；

所述电容的上电极上方的光电二极管，所述光电二极管的下电极为所述电容的上电极。

2.根据权利要求1所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述衬底上所有光电二极管区域下方都包括所述电容。

3.根据权利要求1所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述衬底上部分光电二极管区域下方包括所述电容。

4.根据权利要求1、2或3所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述电容下电极面积与所述光电二极管上电极面积相同。

5.根据权利要求1、2或3所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述电容上电极与TFT的漏电极连接。

6.根据权利要求1、2或3所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述栅层为金属Mo。

7.根据权利要求1、2或3所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述介质层为SiN_x。

8.根据权利要求1、2或3所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述电容上电极为钼铝合金。

9.根据权利要求1、2或3所述的平板X射线探测器，其特征在于，所述衬底为玻璃。

10.一种平板X射线探测器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备栅层，所述衬底包括多个由TFT和光电二极管组成的阵列区域，所述栅层中包括TFT的底栅和电容下电极，其中所述电容下电极位于衬底上的光电二极管区域；

制备所述栅层上方的介质层，介质层覆盖在所述TFT和光电二极管区域；

制备位于TFT底栅介质层上的TFT其余部分和位于光电二极管区域的介质层上方的电容上电极；

制备位于所述电容上电极上方的光电二极管和偏置电极，所述光电二极管的下电极为所述电容上电极。

11.根据权利要求10所述的平板X射线探测器的制备方法，其特征在于，在包括多个TFT和光电二极管组成的阵列区域的衬底上制备栅层，为在衬底上所有光电二极管区域制备所述的栅层。

12.根据权利要求10所述的平板X射线探测器的制备方法，其特征在于，在包括多个TFT和光电二极管组成的阵列区域的衬底上制备栅层，为在衬底上部分光电二极管区域制备所述的栅层。

13.根据权利要求10、11或12所述的平板X射线探测器的制备方法，其特征在于，制备衬底上光电二极管区域的电容下电极步骤中，制备与光电二极管区域面积相同的电容下电极。

14.根据权利要求10、11或12所述的平板X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述制备位于TFT底栅介质层上的TFT其余部分和位于光电二极管区的介质层上方的电容上电极步骤，具体包括：

在所述TFT底栅介质层上制备TFT的有源区；

在所述TFT的有源区上方制备所述TFT的源、漏电极；

在所述光电二极管区域的介质层上制备所述的电容上电极。

15.根据权利要求10、11或12所述的平板X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述制备位于TFT底栅介质层上的TFT其余部分和位于光电二极管区域的介质层上方的电容上电极步骤，具体包括：

在所述TFT底栅介质层上制备TFT的有源区；

在所述TFT有源区上方制备所述TFT的源、漏电极，其特征在于，所述漏电极向所述光电二极管区域延伸并覆盖光电二极管区域的介质层，光电二极管区域介质层上的漏极形成电容的上电极。