[发明专利]一种平板X射线探测器无效

申请号：	201110153349.5	申请日：	2011-06-09
公开（公告）号：	CN102306653A	公开（公告）日：	2012-01-04
发明（设计）人：	邱承彬;刘琳	申请（专利权）人：	上海奕瑞光电子科技有限公司
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146;G01T1/08
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	逯长明
地址：	201201 上海市浦东新区张江***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种平板射线探测器
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及X射线探测器领域，特别是涉及平板X射线探测器曝光控制领域。

背景技术

在医学检测过程中，为了在保证X射线成像质量的同时尽量减少患者受到的辐射量，控制X射线曝光开始和结束非常关键。通常采用的方法有：通过放射师手动控制或电子计时器控制X射线曝光的开始和结束；通过AEC(Automatic exposure control，自动曝光控制)设备控制X射线曝光的终止。

AEC设备是控制X射线曝光时间的设备，其目的是在保证X射线影像质量的前提下精确地控制X射线的曝光时间，将发射到患者的X射线剂量最小化。AEC设备产生的信号正比于X射线探测器接收到的X射线的通量，AEC系统根据这个信号采取停止曝光或调整X射线曝光剂量的方式来调整每张X射线影像的曝光剂量。

早期的AEC设备由于工艺所限，无法集成在平板X射线探测器中，医学放射设备上AEC系统通常由放置在病人和X射线接收器之间的AEC探测器完成。随着液晶显示制造工艺的不断发展，目前已经出现了集成AEC功能的平板X射线探测器，按照制程工艺的不同分为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺和TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)工艺。CMOS工艺AEC系统中的曝光剂量检测是由光电门(photogate)实现的，如菲利浦电子有限公司的专利US734614682；TFT工艺AEC系统中的曝光剂量检测通常由额外制作的光电转换元件来实现，如佳能公司的专利US750797082和菲利浦电子有限公司的专利US7601961B2。虽然采用不同的工艺均可以实现AEC系统与平板X射线探测器的集成，但是均会不同程度的增加平板X射线探测器的制造工艺复杂度，同时增加平板X射线探测器的制造成本。

发明内容

本发明的目的是提出一种平板X射线探测器及其制备方法，能够不增加制备工艺将AEC功能集成在X射线探测器上。

为了达到上述目的，本发明提供一种平板X射线探测器，包括：

衬底，所述衬底上包括多个TFT和光电二极管组成的阵列区域；

所述衬底上的栅层，所述栅层中包括TFT的底栅和电容下电极，所述电容下电极位于所述光电二极管区域的下方；

所述栅层上方的介质层，所述介质层覆盖在所述TFT和光电二极管区域；

位于光电二极管区域介质层上方的电容上电极，所述电容上电极与所述介质层和所述电容下电极形成电容；

所述电容的上电极上方的光电二极管，所述光电二极管的下电极为所述电容的上电极。

优选地，所述衬底上所有光电二极管区域下方都包括所述电容。

优选地，所述衬底上部分光电二极管区域下方包括所述电容。

所述平板X射线探测器的电容下电极面积与所述光电二极管上电极面积相同。

所述平板X射线探测器，电容上电极与TFT的漏电极连接。