[发明专利]电子显示装置及其制造方法及电子纸有效

专利信息
申请号: 201110153781.4 申请日: 2011-06-09
公开(公告)号: CN102707534A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 王本莲;张智钦 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/167 分类号: G02F1/167;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;程立民
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电子 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子显示装置,其特征在于,包括:

上基板,所述上基板上形成有上部电极;

下基板,所述下基板上形成有薄膜晶体管(TFT),所述TFT漏极作为下部电极;

上基板与下基板之间装设有电泳液,电泳液内设有带电球。

2.根据权利要求1所述的电子显示装置,其特征在于,所述TFT漏极设置在电泳液底部一侧。

3.根据权利要求1所述的电子显示装置,其特征在于,所述电泳液内墨水为黑色,所述带电球为白色。

4.根据权利要求1所述的电子显示装置,其特征在于,所述电泳液内墨水为白色,所述带电球为黑色。

5.根据权利要求1所述的电子显示装置,其特征在于,所述电泳液内墨水为透明,所述带电球为黑色;所述下基板下面设有背光源。

6.根据权利要求1所述的电子显示装置,其特征在于,所述电泳液内墨水为透明,所述带电球为白色;所述下基板下面设有背光源。

7.一种电子显示装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包括:

通过栅极掩模板在下基板上形成栅极和栅极扫描线;

连续沉积栅极绝缘层、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜、以及用于形成源极和漏极的第二层金属薄膜,利用灰色调半透明掩模板形成TFT的硅岛,利用灰色调半透明掩模板和光刻胶的灰化工艺在TFT硅岛上形成源极、漏极以及TFT的沟道部分;

在上基板形成上部电极,并在上基板与下基板之间装设电泳液。

8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,

所述利用灰色调半透明掩模板形成TFT的硅岛,为:利用灰色调半透明掩模板的全透明区域形成TFT的硅岛;

所述利用灰色调半透明掩模板和光刻胶的灰化工艺在TFT硅岛上形成源极、漏极以及TFT的沟道部分,为:利用灰色调半透明掩模板的半透明区域和光刻胶的灰化工艺在TFT硅岛上形成源极、漏极以及TFT的沟道部分。

9.一种电子显示装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包括:

通过栅极掩模板在下基板上形成栅极和栅极扫描线;

在栅极金属上连续沉积栅极绝缘层、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜,通过半导体层掩模板形成TFT的硅岛;

通过源漏极掩模板在TFT硅岛上形成源极、漏极以及数据扫描线;

在上基板形成上部电极,并在上基板与下基板之间装设电泳液。

10.一种电子纸,其特征在于,该电子纸使用权利要求1-6中任意一项所述的电子显示装置。

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