[发明专利]电子显示装置及其制造方法及电子纸

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种电子显示装置及其制造方法及电子纸。

背景技术

微杯型电子纸反射显示原理如图1所示，上部电极1(也即透明公共电极)的极性不变，通过改变下部电极3的正负极性，改变装满电泳液2的微杯内带正电白球的位置，从而显示要呈现的画面，该下部电极3也称透明像素电极。图2为图1中的微杯型电子纸下部电极3和电路部分的俯视结构示意图，图3为图1中的微杯型电子纸局部剖面结构，可以看出，一独立的下部电极3与薄膜晶体管(TFT)漏极4连接，由TFT漏极4控制下部电极3的正负极，这种电子显示装置的阵列制作仍需要采用传统的5次掩膜(Mask)工艺或4次掩膜工艺，工艺制程复杂，成本较高。

5次掩膜工艺是指在整个工艺过程中通过使用五块掩模板来实现阵列基板的制造，每一步工艺基本上均由薄膜沉积、掩模板曝光、刻蚀和光刻胶剥离四道工序组成。5次掩膜工艺的具体实现过程如下：1)通过栅极掩模板在玻璃基板上形成栅极和栅极扫描线；2)在栅极金属上连续沉积栅极绝缘层、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过半导体层掩模板形成TFT的硅岛；3)通过源漏极掩模板在TFT硅岛上形成源极、漏极以及数据扫描线；4)通过钝化层掩模板形成钝化层薄膜的过孔；5)通过透明像素电极掩模板形成透明像素电极。

而4次掩膜工艺是利用灰色调半透明掩模板，把TFT的硅岛和源漏极的光刻工艺合并到同一次掩膜工艺当中，即：连续沉积栅极绝缘层、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜、以及用于形成源极和漏极的第二层金属薄膜，利用灰色调半透明掩模板的全透明区域形成TFT的硅岛，利用灰色调半透明掩模板的半透明区域和光刻胶的灰化工艺在TFT硅岛上形成源极、漏极以及TFT的沟道部分。4次掩膜工艺的其余过程与5次掩膜工艺相同。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种电子显示装置及其制造方法及电子纸，减少工艺制程，节约成本。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供的一种电子显示装置，包括：

上基板，所述上基板上形成有上部电极；

下基板，所述下基板上形成有TFT，所述TFT漏极作为下部电极；

上基板与下基板之间装设有电泳液，电泳液内设有带电球。

上述方案中，所述TFT漏极设置在电泳液底部一侧。

上述方案中，所述电泳液内墨水为黑色，所述带电球为白色。

上述方案中，所述电泳液内墨水为白色，所述带电球为黑色。

上述方案中，所述电泳液内墨水为透明，所述带电球为黑色；所述下基板下面设有背光源。

上述方案中，所述电泳液内墨水为透明，所述带电球为白色；所述下基板下面设有背光源。

本发明提供的一种电子纸，该电子纸使用上述的电子显示装置。

本发明提供的一种电子显示装置的制造方法，该制造方法包括：

通过栅极掩模板在下基板上形成栅极和栅极扫描线；

连续沉积栅极绝缘层、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜、以及用于形成源极和漏极的第二层金属薄膜，利用灰色调半透明掩模板形成TFT的硅岛，利用灰色调半透明掩模板和光刻胶的灰化工艺在TFT硅岛上形成源极、漏极以及TFT的沟道部分；

在上基板形成上部电极，并在上基板与下基板之间装设电泳液。

上述方案中，所述利用灰色调半透明掩模板形成TFT的硅岛，为：利用灰色调半透明掩模板的全透明区域形成TFT的硅岛；

所述利用灰色调半透明掩模板和光刻胶的灰化工艺在TFT硅岛上形成源极、漏极以及TFT的沟道部分，为：利用灰色调半透明掩模板的半透明区域和光刻胶的灰化工艺在TFT硅岛上形成源极、漏极以及TFT的沟道部分。

本发明提供的一种电子显示装置的制造方法，该制造方法包括：

通过栅极掩模板在下基板上形成栅极和栅极扫描线；

在栅极金属上连续沉积栅极绝缘层、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过半导体层掩模板形成TFT的硅岛；

通过源漏极掩模板在TFT硅岛上形成源极、漏极以及数据扫描线；

在上基板形成上部电极，并在上基板与下基板之间装设电泳液。

本发明提供了一种电子显示装置及其制造方法及电子纸，在上基板上形成有上部电极；下基板上形成有TFT，该TFT漏极作为下部电极；上基板与下基板之间装设有电泳液，电泳液内设有带电球；如此，在阵列制作过程中不需要进行透明像素电极的工艺，即省去5次掩膜工艺和4次掩膜工艺的最后两次掩膜工艺，节约成本，提高产品良率。

附图说明