[发明专利]组件内隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110154242.2 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102760681A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 何家铭;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 组件 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种组件内隔离结构的制造方法，包括：
提供半导体基板，所述半导体基板上形成有罩幕层；
在所述罩幕层与所述半导体基板内形成多个第一沟槽；
在所述多个第一沟槽内形成第一绝缘层；
移除所述罩幕层的部份，以部份地露出位于所述多个第一沟槽内的所述第一绝缘层；
在由所述罩幕层部份露出的所述第一绝缘层的一侧面上形成保护间隔物，并部份地露出介于所述第一绝缘层之间的所述罩幕层；
施行蚀刻制程，以在由所述保护间隔物所露出的所述罩幕层以及其下方的所述半导体基板内形成多个第二沟槽；
在所述多个第二沟槽内形成第二绝缘层；以及
移除高于所述半导体基板的顶面的所述保护间隔物、所述罩幕层、所述第一绝缘层与所述第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的组件内隔离结构的制造方法，其中位于所述半导体基板内的所述多个第一沟槽具有比位于所述半导体基板内的所述多个第二沟槽深的深度。
3.根据权利要求1或2所述的组件内隔离结构的制造方法，其中所述罩幕层包括氮化硅，而所述保护间隔物包括氮化钛。
4.根据权利要求1或2所述的组件内隔离结构的制造方法，其中形成于所述多个第一沟槽内的所述第一绝缘层在所述半导体基板上限定出多个组件区。
5.根据权利要求4所述的组件内隔离结构的制造方法，其中位于所述多个第二沟槽内的所述第二绝缘层为组件内隔离结构。
6.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的组件内隔离结构的制造方法，其中在部份地移除所述罩幕层时，露出所述多个第一沟槽内的所述第一绝缘层在所移除部分的约100-500埃的厚度。
7.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的组件内隔离结构的制造方法，其中所述第一绝缘层包括二氧化硅。
8.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的组件内隔离结构的制造方法，其中所述第二绝缘层包括二氧化硅。
9.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的组件内隔离结构的制造方法，其中在移除高于所述半导体基板的所述顶面的所述保护间隔物、所述罩幕层、所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之后，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层与所述半导体基板的所述顶面共平面。
10.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的组件内隔离结构的制造方法，其中所述半导体基板为硅基板。
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