[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201110155636.X | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102820228A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑;杨达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成伪栅结构以及围绕所述伪栅结构的侧墙；
以所述伪栅结构和所述侧墙为掩模，在所述栅极结构两侧且嵌入所述半导体衬底内形成源/漏区；
在所述半导体衬底的上表面形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅结构的上表面齐平；
去除所述伪栅结构的至少一部分，以在所述侧墙间形成沟槽；
以所述层间介质层和所述侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行倾角离子注入，以形成非对称晕环注入区域；
在所述沟槽内依次形成栅介质层和金属栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述进行倾角离子注入是在所述半导体衬底内的一侧进行倾角离子注入，以形成非对称晕环注入区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述倾角离子注入方向与所述半导体衬底表面法线的夹角大于或等于45度且小于或等于70度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述倾角离子注入的剂量大于或等于5E12/cm2且小于或等于6E13/cm2，所述倾角离子注入的能量大于或等于20keV且小于或等于60keV。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述进行倾角离子注入包括：对于N型半导体器件，使用B、Ga、In或BF2进行离子注入。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述进行倾角离子注入包括：对于P型半导体器件，使用P、As或Sb进行离子注入。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述伪栅结构包括伪栅介质层和伪栅电极层；
则去除所述伪栅电极层的至少一部分的步骤包括：将所述伪栅电极层和伪栅介质层全部去除。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述伪栅结构包括伪栅介质层和伪栅电极层；
则去除所述伪栅电极层的至少一部分的步骤包括：将所述伪栅电极层去除，在形成非对称晕环注入区域之后且形成所述栅介质层之前去除所述伪栅介质层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：在形成非对称晕环注入区域之后，进行退火处理。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底的上表面形成层间介质层的步骤包括：
在所述半导体衬底、伪栅结构和侧墙上覆盖层间介质层；
对所述层间介质层进行平坦化处理至所述伪栅结构露出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
