[发明专利]平板显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种制造平板显示设备的方法，所述方法包括：

在基板上形成薄膜晶体管的半导体层；

在所述半导体层上形成栅电极，其中所述栅电极与所述半导体层之间有栅绝缘层，并且利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂；

依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，并且通过图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层在离开所述薄膜晶体管一定距离处形成电容器；

形成第二绝缘层，并且形成穿过所述第二绝缘层的接触孔，所述接触孔暴露所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的一部分；并且

形成源电极和漏电极，所述源电极接触所述源区，并且所述漏电极接触所述漏区，所述源电极和所述漏电极之一通过所述接触孔接触所述第二导电层。

2.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，其中所述形成栅电极包括在形成有所述栅电极的所述栅绝缘层上形成布线，所述布线包括与所述栅电极相同的材料，并且直接接触所述第一导电层。

3.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，其中所述利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂包括利用相同的杂质对所述源区和所述漏区进行掺杂。

4.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，其中所述利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂包括：通过使用所述栅电极作为自对准掩膜，利用所述离子杂质对所述源区和所述漏区进行掺杂。

5.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，其中所述第一导电层和所述第二导电层中的每一个包括透明导电材料。

6.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，其中所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层的形成所述薄膜晶体管的部分被完全刻蚀。

7.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，其中所述形成电容器包括图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层，使得所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层的刻蚀后的侧表面被对准。

8.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，其中所述第二绝缘层直接接触所述栅电极。

9.根据权利要求1所述的制造平板显示设备的方法，进一步包括在所述源电极和所述漏电极上形成有机层，并且形成穿过所述有机层的通孔，所述通孔暴露所述源电极和所述漏电极之一的一部分。

10.根据权利要求9所述的制造平板显示设备的方法，进一步包括形成通过所述通孔接触所述源电极和所述漏电极之一的像素电极。

11.一种平板显示设备，包括：

薄膜晶体管的位于基板上的半导体层，所述半导体层包括沟道区、源区和漏区；

位于所述沟道区上的栅电极，其中所述栅电极与所述沟道区之间有栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的电容器，所述电容器包括刻蚀后的侧表面被对准的第一导电层、第一绝缘层和第二导电层；

位于所述栅电极和所述电容器上穿过第二绝缘层的源电极和漏电极，所述源电极接触所述源区，并且所述漏电极接触所述漏区，所述源电极和所述漏电极之一接触所述第二导电层；以及

接触所述源电极和所述漏电极之一的一部分的像素电极。

12.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中所述源区和所述漏区包括相同的离子杂质。

13.根据权利要求11所述的平板显示设备，进一步包括由与所述栅电极相同的材料形成的布线，所述布线位于形成有所述栅电极的所述栅绝缘层上，并且直接接触所述第一导电层。

14.根据权利要求13所述的平板显示设备，其中所述布线包括从由银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、钨化钼、铝/铜及其结合所组成的组中选择的至少一种导电材料。

15.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中所述电容器的第一导电层和第二导电层中的每一个包括透明导电材料。

16.根据权利要求15所述的平板显示设备，其中所述透明导电材料包括从由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌所组成的组中选择的至少一种材料。