[发明专利]平板显示设备及其制造方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求2010年6月3日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2010-0052361的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

根据本发明的实施例的方面涉及平板显示设备及其制造方法。

背景技术

诸如有机发光显示设备和液晶显示器(LCD)设备之类的平板显示设备被分为有源矩阵平板显示设备和无源矩阵平板显示设备。有源矩阵平板显示设备包括位于每个像素中的薄膜晶体管(TFT)和电容器，并且显示高分辨率的图像。

当在每个像素中形成TFT和电容器时，用于连接TFT和电容器的布线以精细图案形成，以便增加开口率。这种精细图案通常通过利用光掩膜的光刻术形成。

光刻术涉及在基板上均匀涂覆光刻胶，将其上形成有图案的光掩膜与基板对准，并且通过利用诸如步进机之类的曝光设备对光刻胶进行曝光。如果光刻胶为正性光刻胶，则光刻术进一步涉及对曝光的光刻胶进行显影并刻蚀以形成期望的图案，并且进一步涉及在不再需要光刻胶时去除光刻胶。

如上所述，通过利用光掩膜形成图案的一系列工艺是复杂的。随着利用光掩膜的工艺数目增加，制造成本和制造时间也增加。

发明内容

本发明的实施例致力于一种可以减少利用光掩膜的工艺数目并增加开口率的平板显示设备和制造平板显示设备的方法。

根据本发明的实施例，提供一种制造平板显示设备的方法，所述方法包括：在基板上形成薄膜晶体管(TFT)的半导体层；在所述半导体层上形成栅电极，其中所述栅电极与所述半导体层之间有栅绝缘层，并且利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂；依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，并且通过图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层在离开所述TFT一定距离处形成电容器；形成第二绝缘层，并且形成穿过所述第二绝缘层的接触孔，所述接触孔暴露所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的一部分；并且形成源电极和漏电极，所述源电极接触所述源区，并且所述漏电极通过所述接触孔接触所述漏区和所述第二导电层。

所述形成栅电极可以包括在形成有所述栅电极的所述栅绝缘层上形成布线，所述布线包括与所述栅电极相同的材料，并且直接接触所述第一导电层。

所述利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂可以包括利用相同的离子杂质对所述源区和所述漏区进行掺杂。

所述利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂可以包括：通过使用所述栅电极作为自对准掩膜，利用所述离子杂质对所述源区和所述漏区进行掺杂。

所述第一导电层和所述第二导电层中的每一个可以包括透明导电材料。

所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层的形成所述TFT的部分可以被完全刻蚀。

所述形成电容器可以包括图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层，使得所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层的刻蚀后的侧表面被对准。

所述第二绝缘层可以直接接触所述栅电极。

所述方法可以进一步包括在所述源电极和所述漏电极上形成有机层，并且形成穿过所述有机层的通孔，所述通孔暴露所述源电极和所述漏电极之一的一部分。

所述方法可以进一步包括形成通过所述通孔接触所述源电极和所述漏电极之一的像素电极。

根据本发明的另一实施例，提供一种平板显示设备，包括：TFT的位于基板上的半导体层，所述半导体层包括沟道区、源区和漏区；位于所述沟道区上的栅电极，其中所述栅电极与所述沟道区之间有栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的电容器，所述电容器包括刻蚀后的侧表面被对准的第一导电层、第一绝缘层和第二导电层；位于所述栅电极和所述电容器上穿过第二绝缘层的源电极和漏电极，所述源电极接触所述源区，并且所述漏电极接触所述漏区和所述第二导电层；以及接触所述源电极和所述漏电极之一的一部分的像素电极。

所述源区和所述漏区可以包括相同的离子杂质。

所述平板显示设备可以进一步包括由与所述栅电极相同的材料形成的布线，所述布线位于形成有所述栅电极的所述栅绝缘层上，并且直接接触所述第一导电层。

所述布线可以包括从由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、钨化钼(MoW)、铝/同(Al/Cu)及其结合所组成的组中选择的至少一种导电材料。

所述电容器的第一导电层和第二导电层中的每一个可以包括透明导电材料。