[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体基板，其上形成有电子电路，所述电子电路包括电源线和接地线；以及

静电放电保护元件，其设置在所述半导体基板上的所述电源线与所述接地线之间，所述静电放电保护元件包括晶闸管和驱动所述晶闸管的触发二极管，

其中，所述触发二极管包括阳极扩散层、阴极扩散层和栅极电极，所述阳极扩散层形成在所述半导体基板上，所述阴极扩散层在所述半导体基板上形成为与所述阳极扩散层分开，所述栅极电极形成在所述半导体基板上的所述阳极扩散层与所述阴极扩散层之间，在所述半导体基板与所述栅极电极之间插入有栅极绝缘膜，及

与外部电源连接的外部端子电连接到所述栅极电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在开始向所述半导体装置供电之前，所述栅极电极处于电浮动状态。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在开始向所述半导体装置供电之后，向所述栅极电极施加预定电压。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述预定电压是另一电源线的电压，所述另一电源线的所述电压是通过降压电路对所述电源线的电压进行降压获得的电压。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其还包括：

第一电源线和第二电源线及第一接地线和第二接地线，所述第一电源线和所述第二电源线用作所述电源线，所述第一接地线和所述第二接地线用作所述接地线；

第一静电放电保护元件和第二静电放电保护元件，所述第一静电放电保护元件设置在所述第一电源线与所述第一接地线之间，所述第二静电放电保护元件设置在所述第二电源线与所述第二接地线之间，所述第一静电放电保护元件和所述第二静电放电保护元件用作所述静电放电保护元件；以及

第一降压电路和第二降压电路，所述第一降压电路连接到所述第一电源线，所述第二降压电路连接到所述第二电源线，

其中，通过所述第一降压电路对所述第一电源线的电压进行降压而得到的电压连接到所述第二静电放电保护元件，并且

通过所述第二降压电路对所述第二电源线的电压进行降压而得到的电压连接到所述第一静电放电保护元件。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述栅极电极保持为所述浮动状态时，通过向所述栅极电极施加所述预定电压来降低所述半导体基板的位于所述栅极电极下方的区域的电位，并增大所述触发二极管的导通状态电压。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述触发二极管包括n型延伸扩散层和p型延伸扩散层，所述n型延伸扩散层形成为在所述半导体基板中从所述阴极电极延伸至所述栅极电极下方的区域，所述p型延伸扩散层形成为在所述半导体基板中从所述阳极电极延伸至所述栅极电极下方的所述区域。