[发明专利]数据读取方法、存储器控制器及存储器储存装置有效

专利信息
申请号: 201110159283.0 申请日: 2011-06-14
公开(公告)号: CN102831932B 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 曾建富;赖国欣 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C29/42
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 读取 方法 存储器 控制器 储存 装置
【权利要求书】:

1.一种数据读取方法,用于一可复写式非易失性存储器模组,该 可复写式非易失性存储器模组具有多个实体区块,且每一该些实体区块 具有多个实体页面,该数据读取方法包括:

分割每一该些实体页面为多个位元数据区,其中在每一该些实体页 面当中至少一位元数据区相较于其他位元数据区具有不同的数据长度;

写入一数据至该些位元数据区,其中每一该些位元数据区对应一错 误校正码框,且在该些错误校正码框当中,对应于该至少一位元数据区 的错误校正码框为具有较短的数据长度;

自该些位元数据区读取该数据;

根据所读取的该数据执行一数据处理程序以获得一错误位元信息; 以及

根据该错误位元信息,调整一对数似然比查询表或至少一门槛值电 压。

2.根据权利要求1所述的数据读取方法,其中分割每一该些实体 页面的步骤包括:

将该至少一位元数据区配置于每一该些实体页面的初始位置,

其中对应于该至少一位元数据区的错误校正码框具有较佳的错误 位元校正能力。

3.根据权利要求1所述的数据读取方法,其中调整该门槛值电压 的步骤包括:

根据该错误位元信息计算该门槛值电压的补偿电压;以及

藉由该补偿电压来调整该至少一门槛值电压。

4.根据权利要求3所述的数据读取方法,其中根据所读取的该数 据执行该数据处理程序以获得该错误位元信息的步骤包括比对所读取 的该数据与所写入的该数据以获得一第一错误位元数及一第二错误位 元数,其中计算该补偿电压是依据下列公式:

x=g×log2(error2error1)]]>

其中,x代表该补偿电压,g代表一常数,error1代表该第一错误 位元数,error2代表该第二错误位元数。

5.根据权利要求1所述的数据读取方法,其中该可复写式非易失 性存储器模组具有多个存储单元且每一该些存储单元具有多个储存状 态,被读取的该数据对应一第一储存状态,其中根据所读取的该数据执 行该数据处理程序以获得该错误位元信息的步骤包括对所读取的该数 据执行一错误校正程序以获得所读取的该数据在写入时所对应的一第 二储存状态。

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