[发明专利]低漏电型电源钳位ESD保护电路无效
| 申请号： | 201110159588.1 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222892A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张雪琳;王源;贾嵩;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏电 电源 esd 保护 电路 | ||
1.一种低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，包括：电源管脚、接地管脚、电阻-电容模块(210)、触发模块(220)、偏置模块(230)和钳位模块(240)，
所述电阻-电容模块(210)，连接于所述电源管脚和所述偏置模块(230)之间，用于在所述电源管脚遭受ESD脉冲的冲击时，发送控制信号至所述触发模块(220)；
所述触发模块(220)，连接于所述电源管脚和接地管脚之间，并分别与所述电阻-电容模块(210)和钳位模块(240)连接，用于在接收到所述控制信号时，发送启动信号至所述钳位模块(240)和偏置模块(230)；
所述钳位模块(240)，连接于所述电源管脚和接地管脚之间，用于在接收到所述启动信号时，提供电源管脚到接地管脚之间的电流泄放通道；
所述偏置模块(230)，连接于所述电阻-电容模块(210)与接地管脚之间，用于在未接收到所述启动信号时，为所述电阻-电容模块(210)提供一个偏置电压，在接收到所述启动信号时，使所述电阻-电容模块(210)耦合到地。
2.如权利要求1所述的低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述电阻-电容模块(210)包括：阻抗元件和容抗元件，所述阻抗元件的一端与所述容抗元件的一端连接，且连接点与所述触发模块(220)连接，所述阻抗元件的另一端与所述电源管脚连接，所述容抗元件的另一端分别与所述偏置模块(230)和触发模块(220)连接。
3.如权利要求2所述的低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述阻抗元件为电阻器(211)，所述容抗元件为PMOS电容(212)，所述PMOS电容(212)的源极、漏极和衬底皆与所述电阻器(211)连接，所述PMOS电容(212)的栅极分别与所述偏置模块(230)和触发模块(220)连接。
4.如权利要求3所述的低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述钳位模块(240)为第一NMOS晶体管(241)，所述第一NMOS晶体管(241)的源极与所述接地管脚连接，所述第一NMOS晶体管(241)的漏极与所述电源管脚连接，所述第一NMOS晶体管(241)的栅极分别与所述触发模块(220)和偏置模块(230)连接。
5.如权利要求4所述的低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述触发模块(220)包括第NMOS晶体管(222)和PMOS晶体管(221)，所述第NMOS晶体管(222)的源极与所述接地管脚连接，所述第NMOS晶体管(222)的漏极与所述PMOS晶体管(221)的漏极连接，且连接点与所述第一NMOS晶体管(241)的栅极相连，所述第NMOS晶体管(222)的栅极与所述PMOS电容(212)的栅极连接，所述PMOS晶体管(221)的源级与所述电源管脚连接，所述PMOS晶体管(221)的栅极与所述PMOS电容(212)的衬底连接。
6.如权利要求5所述的低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述偏置电路(230)包括第三NMOS晶体管(231)，所述第三NMOS晶体管(231)的栅极与所述第一NMOS晶体管(241)的栅极连接，所述第三NMOS晶体管(231)的源级与所述接地管脚连接，所述第三NMOS晶体管(231)的漏极与所述PMOS电容(212)的栅极连接。
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