[发明专利]散热装置的制造方法无效
申请号: | 201110159752.9 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN102832137A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 张晶;刘剑;何兴华 | 申请(专利权)人: | 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/427 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热 装置 制造 方法 | ||
1.一种散热装置的制造方法,包括步骤:
提供一散热鳍片组,该散热鳍片组包括间隔排列的若干散热鳍片,每一散热鳍片上设置一通孔,该散热鳍片上于该通孔边缘设置一凸缘;
提供一热管,使该热管间隙配合穿设于该通孔中;
提供一第一冲压治具及一第二冲压治具,该第一冲压治具及第二冲压治具均包括间隔排列的若干冲头,每一冲头的自由末端上设有一凹槽,使该第一冲压治具及第二冲压治具间隔设置,且该第一冲压治具的每一冲头的凹槽正对该第二冲压治具上对应的一冲头上的凹槽;
将该散热鳍片组固定于该第一冲压治具与第二冲压治之间,使该散热鳍片组的每一散热鳍片上的凸缘位于该第一冲压治具、第二冲压治具相对的一对冲头之间;
使该第一冲压治具、第二冲压治具的每一对相对的冲头分别从对应的凸缘的相对两侧冲压该凸缘,该凸缘向内侧产生收缩变形并挤压热管变形,直至使该热管紧配合于该凸缘内。
2.如权利要求1所述的散热装置的制造方法,其特征在于:冲压完成后,该热管的外壁与该凸缘的内壁全接触。
3.如权利要求1所述的散热装置的制造方法,其特征在于:该第一冲压治具及该第二冲压治具均还包括一柄部,该第一冲压治具及该第二冲压治具的冲头均设于其柄部的一侧。
4.如权利要求1所述的散热装置的制造方法,其特征在于:该第一冲压治具及第二冲压治具任意一者的冲头均等距间隔排列,该第一冲压治具及第二冲压治具任意一者的相邻两冲头之间的间距不小于该散热鳍片的厚度,且该冲头沿排列方向的厚度不大于相邻两散热鳍片之间的间距。
5.如权利要求1所述的散热装置的制造方法,其特征在于:该凹槽的形状为半圆形、弓形及半椭圆形中的任意一种。
6.如权利要求5所述的散热装置的制造方法,其特征在于:该凹槽的为半圆形,冲压前,该凹槽的内径小于该凸缘的外径但大于该热管的外径。
7.如权利要求6所述的散热装置的制造方法,其特征在于:冲压时,该第一冲压治具、第二冲压治具的每一对相对的冲头上的凹槽合围成一个圆孔时,该热管的外壁刚好与该凸缘的内壁全接触且紧配合于该凸缘中。
8.如权利要求1所述的散热装置的制造方法,其特征在于:该第一冲压治具及第二冲压治具上下放置,该第二冲压治具置于该第一冲压治具的下方,该散热鳍片组中的每一散热鳍片定位于该第二冲压治具的相邻的两冲头之间,且每一散热鳍片的凸缘托持于该第二冲压治具的冲头上的凹槽中。
9.如权利要求1至8任意一项所述的散热装置的制造方法,其特征在于:该凸缘上贯穿设有至少一开槽。
10.如权利要求9所述的散热装置的制造方法,其特征在于:该开槽沿该凸缘的轴向呈条形,冲压结束后,该两开槽由于该凸缘的收缩而愈合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造