[发明专利]一种液晶显示器及其制作方法无效
申请号: | 201110161071.6 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN102629044A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 刘占伟;车奉周;郝昭慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示器 及其 制作方法 | ||
1.一种液晶显示器,包括玻璃基板、公共电极、栅电极、栅极绝缘层、有源半导体层、源漏电极、绝缘保护层和像素电极,其特征在于,该LCD还包括:绝缘层;
其中,绝缘层位于公共电极和栅电极之间,以防止公共电极和栅电极接触,起到绝缘作用。
2.根据权利要求1所述的LCD,其特征在于,所述绝缘层,为三氧化二铝Al2O3、氧化硅SiO或氮化硅SiN。
3.根据权利要求2所述的LCD,其特征在于,当所述绝缘层为Al2O3时,所述Al2O3的厚度在10~500纳米之间。
4.根据权利要求1、2或3所述的LCD,其特征在于,所述栅电极为钕化铝AlNd、铝Al、铜Cu、钼Mo、钨化钼MoW或铬Cr的单层膜;
或者,所述栅电极为由AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或其任意组合所构成的复合膜。
5.根据权利要求1、2或3所述的LCD,其特征在于,所述栅极绝缘层为氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或氮氧化硅SiOxNy的单层膜;
或者,所述栅极绝缘层为由SiNx、SiOx或SiOxNy之一或其任意组合所构成的复合膜。
6.根据权利要求1、2或3所述的LCD,其特征在于,所述源漏电极为钼Mo、钨化钼MoW或铬Cr的单层膜;
或者,所述源漏电极为由Mo、MoW或Cr之一或其任意组合所构成的复合膜。
7.根据权利要求1、2或3所述的LCD,其特征在于,所述公共电极,为氧化铟锌ITO或铟锌氧化物IZO的单层膜;
或者,所述公共电极,为由ITO和IZO所构成的复合膜。
8.根据权利要求1、2或3所述的LCD,其特征在于,所述像素电极,为氧化铟锌ITO或铟锌氧化物IZO的单层膜;
或者,所述像素电极,为由ITO和IZO所构成的复合膜。
9.一种液晶显示器LCD的制作方法,其特征在于,该方法包括:
在玻璃基板之上形成公共电极,在公共电极表面形成绝缘层,在绝缘层之上镀膜,以形成栅电极,并通过第一次光刻形成栅电极的图形;
在栅电极之上形成栅极绝缘层,在栅极绝缘层之上镀膜,以分别形成有源半导体层和源漏电极,并通过第二次光刻,在栅极绝缘层之上形成有源半导体层和源漏电极的图形;
在源漏电极之上镀膜,以形成绝缘保护层,并通过第三次光刻,形成绝缘保护层的图形;
在绝缘保护层之上镀膜,以形成像素电极,并通过第四次光刻,形成像素电极的图形。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述绝缘层,为三氧化二铝Al2O3、氧化硅SiO或氮化硅SiN。
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