[发明专利]一种液晶显示器及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器(LCD)技术领域，尤其涉及高级超维场开关(AD-SDS)模式的液晶显示器(LCD)及其制作方法。

背景技术

在TFT-LCD制造行业中，宽视角技术有几种，其中一种是高级超维场开关技术模式的LCD，高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

但这种AD-SDS模式的LCD采用五次掩模板(mask)工艺，在第一层(1st)氧化铟锌(ITO)和栅电极(gate)两层，通过两次mask工艺形成各自图形，使1st ITO和gate不能接触。

由于1st ITO公共电极(com)信号与gate电极之间需要加载不同的信号，1st ITO和gate两层之间不能导通，因此，现有工艺是通过mask制造图形时，把这两层断开。

如图1所示，为AD-SDS模式的LCD的平面俯视图，沿着A-A方向截面，参见图2，为AD-SDS模式的LCD的剖面图，现有技术是五次mask工艺，首先为1st ITO mask，在玻璃基板1上形成1st ITO图形，形成第一层ITO 3(第一层ITO位于第二层ITO下面，因此在图1中没有体现出来)，作为com电极，gate mask形成栅电极2，为有源元器件的开关。SDT mask形成数据电极(SD)6、有源半导体层(active)5以及绝缘保护层7的沟道(channel)图形，PVX mask形成栅极绝缘层(P-SiNx)4过孔，通过过孔，使得第二层(2nd)ITO 8和SD 6连接，实现像素充电控制，最后是2nd ITO mask形成2nd ITO 8图形，通过控制1st ITO 3和2nd ITO 8之间的电场来控制液晶偏转。

综上所述，现有技术中的AD-SDS模式的LCD的制作流程，需要五次掩模板(mask)工艺，工艺流程较多，生产效率不高。

发明内容

本发明实施例提供了一种AD-SDS模式的液晶显示器LCD及其制作方法，用以简化AD-SDS模式的LCD的制作流程，提高AD-SDS模式的LCD的生成效率。

本发明实施例提供的一种AD-SDS模式的液晶显示器LCD，包括包括玻璃基板、公共电极、栅电极、栅极绝缘层、有源半导体层、源漏电极、绝缘保护层和像素电极，该LCD还包括：绝缘层；

其中，绝缘层位于公共电极和栅电极之间，以防止公共电极和栅电极接触，起到绝缘作用。

本发明实施例提供的一种AD-SDS模式的液晶显示器LCD的制作方法，包括：

在玻璃基板之上形成公共电极，在公共电极表面形成绝缘层，在绝缘层之上镀膜，以形成栅电极，并通过第一次光刻形成栅电极的图形；

在栅电极之上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层之上镀膜，以分别形成有源半导体层和源漏电极，并通过第二次光刻，在栅极绝缘层之上形成有源半导体层和源漏电极的图形；

在源漏电极之上镀膜，以形成绝缘保护层，并通过第三次光刻，形成绝缘保护层的图形；

在绝缘保护层之上镀膜，以形成像素电极，并通过第四次光刻，形成像素电极的图形。

本发明实施例提供的一种AD-SDS模式的液晶显示器LCD，包括：玻璃基板(11)、公共电极(12)、绝缘层(13)、栅电极(14)、栅极绝缘层(15)、有源半导体层(16)、源漏电极(17)、绝缘保护层(18)和像素电极(19)；其中，绝缘层(13)位于公共电极(12)和栅电极(14)之间，以防止公共电极(12)和栅电极(14)接触，起到绝缘作用，从而实现了减少了高级超维场开关(AD-SDS)技术的一道掩模板(Mask)工艺，可以实现四个Mask工艺的高级超维场开关(AD-SDS)技术，简化了AD-SDS模式的LCD的制作流程，提高了AD-SDS模式的LCD的生成效率。

附图说明

图1为现有技术中AD-SDS模式的LCD的俯视图；

图2为图1所示的现有技术中AD-SDS模式的LCD的A-A方向的剖面图；

图3为本发明实施例提供的AD-SDS模式的LCD的俯视图；