[发明专利]金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成介质层，所述介质层嵌入所述半导体衬底且其表面与所述半导体衬底的表面齐平；

在所述介质层两侧的半导体衬底上形成金属硅化物层；

在所述介质层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述在所述介质层两侧的半导体衬底上形成金属硅化物层包括：

形成金属层，所述金属层覆盖所述介质层及其两侧的半导体衬底的表面；

对所述半导体衬底和金属层进行热处理，使所述金属层与半导体衬底反应后生成金属硅化物层；

去除所述介质层上的金属层，暴露出所述介质层。

3.根据权利要求2所述的金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料选自镍、铂、钴或其任意组合。

4.根据权利要求2所述的金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍，其厚度小于等于4nm，所述热处理的温度为500℃至800℃。

5.根据权利要求2所述的金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，使用湿法刻蚀去除所述介质层上的金属层。

6.根据权利要求1所述的金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述在所述介质层上形成半导体层包括：

以所述金属硅化物层为籽晶层进行外延生长形成半导体层，所述半导体层覆盖所述金属硅化物层和介质层；

去除所述金属硅化物层上的半导体层。

7.根据权利要求1所述的金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底中形成介质层包括：

在所述半导体衬底上形成掩膜层并对其图形化，定义出所述介质层的图形；

以所述图形化后的掩膜层为掩膜，对暴露出的半导体衬底进行氧化，形成所述介质层。

8.根据权利要求7所述的金属源漏SOI MOS晶体管的形成方法，其特征在于，使用热氧化法对所述暴露出的半导体衬底进行氧化。

9.一种金属源漏SOI MOS晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

介质层，嵌入所述半导体衬底中，所述介质层的表面与所述半导体衬底的表面齐平；

金属硅化物层，位于所述介质层两侧的半导体衬底上；

半导体层，位于所述介质层上；

栅极结构，位于所述半导体层上。

10.根据权利要求9所述的金属源漏SOI MOS晶体管，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为镍、铂、钴其中一种或几种的硅化物。

11.根据权利要求9所述的金属源漏SOI MOS晶体管，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为NiSi_2-x，其中0≤x＜1。

12.根据权利要求9所述的金属源漏SOI MOS晶体管，其特征在于，所述金属硅化物层中具有掺杂离子。

13.根据权利要求12所述的金属源漏SOI MOS晶体管，其特征在于，所述掺杂离子选自B、Al、S、Cl、F、As、P或In。

14.根据权利要求9所述的金属源漏SOI MOS晶体管，其特征在于，所述金属源漏SOI MOS晶体管为全耗尽型MOS晶体管或部分耗尽型MOS晶体管。