[发明专利]一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料，其特征在于耐冰晶石腐蚀的绝缘材料是由α-SiC微粉、AlN微粉、纳米Al₂O₃粉和Y₂O₃粉末四种原料通过热压烧结制得的，其中α-SiC微粉与AlN微粉的质量比为0.25～4∶1，纳米Al₂O₃粉和Y₂O₃粉末的质量比为63∶27，纳米Al₂O₃粉和Y₂O₃粉末两者的质量占四种原料总质量的5％。

2.根据权利要求1所述的一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料，其特征在于耐冰晶石腐蚀的绝缘材料中α-SiC微粉与AlN微粉的质量比为0.4～1∶1。

3.根据权利要求1所述的一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料，其特征在于耐冰晶石腐蚀的绝缘材料中α-SiC微粉与AlN微粉的质量比为1.5～2.5∶1。

4.如权利要求1所述的耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法，其特征在于耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法是通过以下步骤实现的：

一、称取如下四种原料：α-SiC微粉、AlN微粉、纳米Al₂O₃粉和Y₂O₃粉末，其中α-SiC微粉与AlN微粉的质量比为0.25～4∶1，纳米Al₂O₃粉和Y₂O₃粉末的质量比为63∶27，纳米Al₂O₃粉和Y₂O₃粉末两者的质量占四种原料总质量的5％；

二、将步骤一称取的原料混合，在混料机上湿混20～36h，得湿混料，其中控制球料质量比为4∶1；

三、将步骤二得到的湿混料装入不锈钢盆中，加热干燥后，将磨球筛分出，得混合粉体；

四、将步骤四得到的混合粉体在1800～1900℃、30～40MPa条件下，热压烧结50～80min，得耐冰晶石腐蚀的绝缘材料，即完成耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法。

5.根据权利要求4所述的耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法，其特征在于步骤一中α-SiC微粉与AlN微粉的质量比为0.4～1∶1。

6.根据权利要求4所述的耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法，其特征在于步骤一中α-SiC微粉与AlN微粉的质量比为1.5～2.5∶1。

7.根据权利要求4、5或6所述的耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法，其特征在于步骤一中α-SiC微粉的粒径为0.5～2μm，AlN微粉的粒径为2～4μm。

8.根据权利要求7所述的耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法，其特征在于步骤四的具体热压烧结工艺为：将步骤四得到的混合粉体首先在1200℃下，保温5min，然后升温至1300℃时开始加压，再升温至1800～1900℃时，压力增加至30～40MPa，然后在1800～1900℃、30～40MPa条件下，热压烧结50～80min。

9.根据权利要求7所述的耐冰晶石腐蚀的绝缘材料的制备方法，其特征在于步骤四中在1850℃、30～40MPa条件下，热压烧结60min。

10.如权利要求1所述的耐冰晶石腐蚀的绝缘材料作为电解法生产硅工艺用电解池的绝缘壁材料的应用。