[发明专利]晶体管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体管结构(60)，包含：

一半导体基板(61)；

一导电区块(73)，设置于该半导体基板(61)之中；

一栅极介电层(69B)，设置于该导电区块(73)及该半导体基板(61)之间；

一鼓形介电结构(90)，设置于该导电区块(73)及该栅极介电层(69B)之上。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：该导电区块(73)包含一上端(73A)，该上端(73A)具有一转角(87)，该鼓形介电结构(90)包含一宽部(90A)，该宽部(90A)覆盖该转角(87)。

3.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：该鼓形介电结构(90)包含：

一宽部(90A)，设置于该导电区块(73)之上；以及

一窄部(90B)，设置于该宽部(90A)之上。

4.如权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于：该窄部(90B)的宽度大于该导电区块(73)的宽度。

5.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：该导电区块(73)包含一上端(73A)及一下端(73B)，该上端(73A)与该半导体基板(61)之间的隔离空间(S1)大于该下端(73B)与该半导体基板(61)之间的隔离空间(S2)。

6.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：该导电区块(73)包含一上端(73A)，该鼓形介电结构(90)隔离该半导体基板(61)及该上端(73A)。

7.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：该晶体管结构(60)包含至少一掺杂区(85)，设置于该导电区块(73)的旁侧的半导体基板(61)之中。

8.如权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于：该掺杂区(85)包含一下端(85A)，该下端(85A)低于该鼓形介电结构(90)。

9.如权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于：该导电区块(73)包含一上端(73A)，该掺杂区(85)包含一下端(85A)，该下端(85A)低于该导电区块(73)的上端(73A)。

10.一种晶体管结构的制备方法，包含下列步骤：

形成至少一沟槽(67)于一半导体基板(61)之中；

形成一第一介电层(69)于该沟槽(67)之内；

形成一导电区块(73)于该沟槽(67)的一底部；

形成一衬屏蔽(75)于该沟槽(67)之中，该衬屏蔽(75)覆盖该第一介电层(69)的一上部；

局部去除未被该衬屏蔽(75)覆盖的第一介电层(69)及半导体基板(61)以形成一鼓形凹部(77)于该半导体基板(61)之中；

在该鼓形凹部(77)填入介电材料以形成一鼓形介电结构(90)。

11.如权利要求10所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于：形成该第一介电层(69)是进行一热氧化工艺。

12.如权利要求10所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于：形成该导电区块(73)包含下列步骤：

在该沟槽(67)填入导电材料(71)；以及

进行一蚀刻工艺以从该沟槽(67)的一上部局部去除该导电材料(71)。

13.如权利要求10所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于：形成该鼓形凹部(77)是使用该衬屏蔽(75)作为蚀刻屏蔽，进行一湿蚀刻工艺。

14.如权利要求10所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于：该制备方法包含从该沟槽(67)去除该衬屏蔽(75)的步骤。

15.如权利要求10所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于：该制备方法包含下列步骤：

形成一屏蔽层(79)，其覆盖该导电区块(73)；以及

进行一热处理工艺以转化邻近该半导体基板(61)的局部屏蔽层(79)。

16.如权利要求10所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于：该制备方法包含形成至少一掺杂区(85)于该导电区块(73)的旁侧的半导体基板(61)之中。

17.如权利要求16所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于：该导电区块(73)包含一上端(73A)，该掺杂区(85)包含一下端(85A)，该下端(85A)低于该导电区块(73)的上端(73A)。