[发明专利]一种提高塞曼双频激光器频差的装置有效

专利信息
申请号: 201110164989.6 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN102832533A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 吴萍;张志平;张晓文;池峰;陈勇辉 申请(专利权)人: 上海微电子装备有限公司
主分类号: H01S3/08 分类号: H01S3/08
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 双频 激光器 装置
【权利要求书】:

1.一种提高塞曼双频激光器频差的装置,其特征在于,包括:

激光管;

加热丝,紧密缠绕于所述激光管的管壁上;

磁环,设置于所述激光管的外围;

隔震橡胶,灌注于所述加热丝和所述磁环之间。

2.根据权利要求1所述的提高塞曼双频激光器频差的装置,其特征在于,所述磁环包括一组相对设置的高稳定性的环状磁性材料,和半封闭的磁轭结构,所述磁轭结构包围的设置于所述环状磁性材料。

3.根据权利要求2所述的提高塞曼双频激光器频差的装置,其特征在于,所述高稳定性的环状磁性材料为钐钴永磁。

4.根据权利要求3所述的提高塞曼双频激光器频差的装置,其特征在于,所述磁轭结构具有一定导磁能力,其长度及厚度经过设计,使得其配合一对钐钴永磁,在磁环的中心线上产生均匀分布的磁场。

5.根据权利要求2所述的提高塞曼双频激光器频差的装置,其特征在于,所述磁轭结构具有高机械强度。

6.根据权利要求2所述的提高塞曼双频激光器频差的装置,其特征在于,所述磁轭结构外圈具有一层屏蔽层。

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