[发明专利]一种提高塞曼双频激光器频差的装置有效
| 申请号： | 201110164989.6 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832533A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吴萍;张志平;张晓文;池峰;陈勇辉 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/08 | 分类号： | H01S3/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 双频 激光器 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高塞曼双频激光器频差的装置，其特征在于，包括：
激光管；
加热丝，紧密缠绕于所述激光管的管壁上；
磁环，设置于所述激光管的外围；
隔震橡胶，灌注于所述加热丝和所述磁环之间。
2.根据权利要求1所述的提高塞曼双频激光器频差的装置，其特征在于，所述磁环包括一组相对设置的高稳定性的环状磁性材料，和半封闭的磁轭结构，所述磁轭结构包围的设置于所述环状磁性材料。
3.根据权利要求2所述的提高塞曼双频激光器频差的装置，其特征在于，所述高稳定性的环状磁性材料为钐钴永磁。
4.根据权利要求3所述的提高塞曼双频激光器频差的装置，其特征在于，所述磁轭结构具有一定导磁能力，其长度及厚度经过设计，使得其配合一对钐钴永磁，在磁环的中心线上产生均匀分布的磁场。
5.根据权利要求2所述的提高塞曼双频激光器频差的装置，其特征在于，所述磁轭结构具有高机械强度。
6.根据权利要求2所述的提高塞曼双频激光器频差的装置，其特征在于，所述磁轭结构外圈具有一层屏蔽层。
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