[发明专利]一种提高塞曼双频激光器频差的装置有效

专利信息
申请号: 201110164989.6 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN102832533A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 吴萍;张志平;张晓文;池峰;陈勇辉 申请(专利权)人: 上海微电子装备有限公司
主分类号: H01S3/08 分类号: H01S3/08
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 双频 激光器 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及赛曼双频激光器领域,且特别涉及一种提高塞曼双频激光器频差的装置。

背景技术

双频激光干涉测量系统具有高分辨率,高速度,低噪声的特点,广泛应用于高精密测量领域。双频激光干涉测量系统由双频激光器,双频激光干涉仪和数据处理单元组成,其原理是应用两种不同频率的光束进行长度测量。双频激光器发出具有一定频差的正交偏振激光束,激光干涉仪将目标的位移信息转化成光的干涉信号,干涉信号经数据处理单元处理后得到目标的位移信息。

根据双频激光干涉测量原理,目标的运动速度有一个上限值,当目标的运动速度大于这一上限值之后,干涉仪无法获得目标的正确位移信息。而这个速度上限值与双频激光器的频差成正比,双频激光器的频差越大,相应双频激光干涉测量系统的速度上限越高。

赛曼双频激光器是利用赛曼效应实现双频激光输出。塞曼双频激光器将磁场作用于单频激光器上,通过光谱在磁场中的分裂得到双频激光束。

磁场作用于单频激光器上的方式通常有横向磁场和纵向磁场。横向磁场方式的磁场垂直于激光光轴方向,采用横向磁场方式的激光器其频差较低,一般为几十KHz到几百KHz,如美国专利4397025。纵向磁场方式的磁场平行于激光光轴方向,采用纵向磁场方式的激光器频差较高,一般为2MHz左右,如中国专利CN85100730,但其磁场由单一材料的简单磁环提供,磁性能未经优化设计,限制了激光器频差的进一步提高。

发明内容

本发明提出一种提高塞曼双频激光器频差的装置,能够大大提高由塞曼效应产生的双频激光束的频差。

为了达到上述目的,本发明提出一种提高塞曼双频激光器频差的装置,包括:

激光管;

加热丝,紧密缠绕于所述激光管的管壁上;

磁环,设置于所述激光管的外围;

隔震橡胶,灌注于所述加热丝和所述磁环之间。

进一步的,所述磁环包括一组相对设置的高稳定性的环状磁性材料,和半封闭的磁轭结构,所述磁轭结构包围的设置于所述环状磁性材料。

进一步的,所述高稳定性的环状磁性材料为钐钴永磁。

进一步的,所述磁轭结构具有一定导磁能力,其长度及厚度经过设计,使得其配合一对钐钴永磁,在磁环的中心线上产生均匀分布的磁场。

进一步的,所述磁轭结构具有高机械强度。

进一步的,所述磁轭结构外圈具有一层屏蔽层。

本发明公布了一种提高塞曼双频激光器频差的装置,它可以在保持所用单频激光器性能不变的情况下,大大提高由塞曼效应产生的双频激光束的频差。本发明选用带磁轭的中空磁环,为激光器提供均匀分布的磁场,提高由塞曼效应产生的频率分裂程度,从而提高双频激光器的频差性能。

附图说明

图1所示为本发明较佳实施例的提高塞曼双频激光器频差的装置示意图。

图2a所示为本发明较佳实施例的磁环结构示意图.

图2b所示为图2a沿A-A方向的剖视图。

图3a所示为普通磁环结构示意图。

图3b所示为图3a沿B-B方向的剖视图。

图4a~图4d所示为两种磁环结构的磁特性仿真结果对比图。

图5所示为两种磁环结构中心线上磁感强度实际测试数据对比图。

图6所示为本发明较佳实施例的双频激光器原理实现示意图。

具体实施方式

为了更了解本发明的技术内容,特举具体实施例并配合所附图式说明如下。

本发明提出了一种提高塞曼双频激光器频差的装置。该装置中的磁环选用由高稳定性的磁性材料,配合半封闭式磁轭结构构成的中空磁环,能为激光器提供均匀分布的磁场,提高由塞曼效应产生的频率分裂程度,从而提高双频激光器的频差性能。

请参考图1,图1所示为本发明较佳实施例的提高塞曼双频激光器频差的装置示意图。本发明提出一种提高塞曼双频激光器频差的装置,包括:激光管1;加热丝4,紧密缠绕于所述激光管1的管壁上,控制激光管1管壁温度;磁环2,设置于所述激光管1的外围,所述激光管1发出单频激光束,配合磁环2可产生具有一定频差的双频激光束;隔震橡胶3,灌注于所述加热丝4和所述磁环2之间,可减小磁环2振动对激光管1的影响,并可起到保温的作用。

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