[发明专利]一种紫外光探测器

权利要求书

1.一种紫外光探测器，其特征在于，所述的紫外光探测器包括：

斜切基底；

在所述斜切基底的一面上生长La_xCa_1-xMnO₃薄膜；

第一金属薄膜电极和第二金属薄膜电极，分别生长在所述La_xCa_1-xMnO₃薄膜的两端；

第三金属薄膜电极，位于所述第一金属薄膜电极和所述第二金属薄膜电极之间，且生长在所述La_xCa_1-xMnO₃薄膜上；

第一电极引线、第二电极引线和第三电极引线的各自输入端，分别连接于所述第一金属薄膜电极、所述第二金属薄膜电极和所述第三金属薄膜电极上；

所述第一电极引线、所述第二电极引线和所述第三电极引线的各自输出端，分别连接于电压测试设备，其中，所述第一电极引线、所述第二电极引线的各自输出端连接于所述电压测试设备的负极，所述第三电极引线的输出端连接于所述电压测试设备的正极。

2.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述第一电极引线、所述第二电极引线和所述第三电极引线的外部被陶瓷管所包裹。

3.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述第一金属薄膜电极、第二金属薄膜电极和所述第三金属薄膜电极为耐高温薄膜电极。

4.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述第一电极引线、所述第二电极引线和所述第三电极引线为耐高温电极引线。

5.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述第三电极被紫外脉冲激光照射。

6.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述斜切基底的材料包括：硅、氧化镁、铝酸镧、钛酸锶、铌酸锂、钛酸铅。

7.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述斜切基底的斜切角度为0°-45°。

8.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述斜切基底的另一面上蒸镀一层绝缘且导热的介质膜。

9.如权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述探测器置于温度为20摄氏度至700摄氏度的高温探测区域中。