[发明专利]热协助介电电荷捕捉闪存

权利要求书

1.一种存储器，包括：

多个存储单元的一阵列，包含多个字线和多个位线，该阵列中的该多个存储单元具有多个介电电荷捕捉结构；

一控制电路，被耦合至该阵列安排用以控制读取、编程和擦除操作；以及

一手段，被耦合至该阵列，用以热退火在该阵列中的该多个存储单元中的该多个介电电荷捕捉结构。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中该手段包含电路以产生电流于该阵列中的多个所选择的字线，以此在该多个存储单元中产生用以该退火的热。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中该手段包含多个字线驱动器以及多个字线终止电路，该多个字线终止电路响应于一译码器电路以驱动一电流于对应的该多个字线上。

4.根据权利要求1所述的存储器，该控制电路包含逻辑以允许于一区块擦除期间热退火的该手段。

5.根据权利要求1所述的存储器，该控制电路包含逻辑以允许于编程操作、读取操作和擦除操作期间或是与上述操作交错当中热退火的该手段。

6.根据权利要求1所述的存储器，该控制电路包含逻辑以维持编程和擦除周期的一计数，且当该计数达到一阈值，允许用于热退火的该手段。

7.根据权利要求1所述的存储器，该控制电路包含逻辑以于擦除操作期间允许用于热退火的该手段，其中一负电压施加至多个所选择的字线。

8.一种存储器，包括：

多个存储单元的一阵列，包含多个字线和多个位线，该阵列中的该多个存储单元具有多个介电电荷捕捉结构；

一地址译码器，耦合至该阵列；

一控制电路，耦合至该阵列安排用以控制读取、编程和擦除操作；以及

多个字线驱动器和多个字线终止电路，耦合至该阵列中的该多个字线，并响应于该控制电路及该地址译码器以施加电流至多个所选择的字线。

9.根据权利要求8所述的存储器，该控制电路包含逻辑以控制该多个字线驱动器和该多个字线终止电路，以于一区块擦除期间引起电流流动于该多个选择的字线中。

10.根据权利要求8所述的存储器，该控制电路包含逻辑以控制该多个字线驱动器和该多个字线终止电路，以于读取、编程和擦除操作期间或是与上述操作交错当中，引起电流流动于该多个选择的字线中。

11.根据权利要求8所述的存储器，该控制电路包含逻辑以控制该多个字线驱动器和该多个字线终止电路，以于擦除操作期间引起电流流动于该多个选择的字线中，其中一负电压被施加至该多个选择的字线。

12.根据权利要求8所述的存储器，该控制电路包含逻辑以维持编程和擦除周期的一计数，且当该计数达到一阈值，控制该多个字线驱动器和该多个字线终止电路以引起电流流动于该多个选择的字线中。

13.根据权利要求1或8所述的存储器，其中该阵列被安排于一NAND架构中。

14.根据权利要求1或8所述的存储器，其中在该阵列中的该多个存储单元包括在一绝缘衬底上的多个半导体本体。

15.根据权利要求1或8所述的存储器，其中该介电电荷捕捉结构包含一隧穿层、一电荷捕捉层及一阻挡层，其中该隧穿层包含一厚度少于2nm为氧化硅或氮氧化硅的第一层，一厚度少于3nm为氮化硅的第二层，以及一厚度少于4nm包括氧化硅或氮氧化硅的第三层。

16.一种方法，用于操作多个存储单元的一阵列，该多个存储单元包含多个字线和多个位线，在该阵列中的该多个存储单元具有多个介电电荷捕捉结构，该方法包括：

执行读取、编程及擦除操作；以及

于读取、编程和擦除操作期间或是与上述操作交错当中，热退火在该阵列中的该多个存储单元中的该多个介电电荷捕捉结构。

17.根据权利要求16所述的方法，包含施加电流至在该阵列中的该多个字线，以引起用于该退火的热。

18.根据权利要求16所述的方法，包含于一区块擦除期间施加电流至所选择的字线，以引起用于该退火的热。

19.根据权利要求16所述的方法，包含于编程操作、读取操作及擦除操作中的至少一个的期间执行该热退火。