[发明专利]电子部件无效

专利信息
申请号: 201110166517.4 申请日: 2011-06-20
公开(公告)号: CN102394414A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 赤田智 申请(专利权)人: 日本压着端子制造株式会社
主分类号: H01R13/03 分类号: H01R13/03;H01R12/77;C25D3/30;C25D5/10
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 部件
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电子部件,该电子部件在表面形成有覆盖Sn(锡)或Sn合金而构成的Sn镀层。

背景技术

基于在欧洲启动了原则上禁止使用Pb(铅)的RoHS指令以及减轻环境负担的观点,近年来,在电子部件中,作为镀层的材料使用以Sn或Sn合金为主要成分的无铅材料,以代替含有Pb(铅)的现有材料。但是,当形成在电子部件表面覆盖Sn或Sn合金的Sn镀层时,会产生被称为晶须的针状结晶,存在容易引发电气方面的短路的问题。

另一方面,通过在电子部件的表面形成镀金层以代替Sn镀层,能够避免产生晶须的问题。但是,由于金非常昂贵,因而存在导致制造成本上升的问题。因此,期望开发出一种可以抑制在Sn镀层产生晶须的技术。并且,在抑制晶须产生的同时,还需要确保作为电子部件性能的焊料润湿性和导电性。

需要说明的是,日本特开2009-97030号公报和日本特开2009-266499号公报中公开了一种表面覆盖有Sn合金的电子部件。日本特开2009-97030号公报公开了一种在母材表面的无铅镀层(Sn镀层)上形成有深50μm以上的多个凹处的电子部件。另外,日本特开2009-266499号公报中公开了一种电子部件,其形成于表层部分的Sn镀层的厚度t为0.2μm以上,在与其他端子接触的区域形成有深度大于等于0.4t且小于等于t的凹部。

日本特开2009-97030号公报和日本特开2009-266499号公报中所公开的电子部件的目的均在于抑制晶须的产生。但是,对于日本特开2009-266499号公报中所公开的那样的连接器用端子等电子部件而言,多以外部的其他部件在电子部件表面的Sn镀层滑动而对Sn镀层加压的状态下使用。因此,由于作用于Sn镀层的外力的影响,具有容易促进晶须产生的倾向。另外,如日本特开2009-97030号公报或日本特开2009-266499号公报所公开的电子部件那样,即使是采取了抑制晶须产生对策的电子部件,由于作用于Sn镀层的外力的影响,也存在容易促进晶须产生的倾向,因此现状是期望更进一步地进行抑制。

发明内容

本发明鉴于上述情况,目的在于提供一种电子部件,该电子部件可确保焊料润湿性和导电性,即使在对Sn镀层作用外力的情况下也能够抑制晶须的产生。

用于实现上述目的的第1方案的电子部件为表面形成有镀层的电子部件,该电子部件具有主体部和Sn镀层,该主体部由金属材料形成,该Sn镀层是通过对上述主体部的表面或对覆盖于该主体部表面的底镀层覆盖Sn或Sn合金而形成的。并且,第1方案的电子部件的特征在于,在上述主体部的表面或上述底镀层的表面重复形成有多个凹凸部,多个上述凹凸部形成为该凹凸部在上述主体部的表面或上述底镀层的表面的面方向上的最大尺寸的平均值大于上述Sn镀层的平均厚度尺寸,并且该凹凸部的深度尺寸的平均值大于上述Sn镀层的平均厚度尺寸。

根据本发明,在电子部件的主体部的表面或覆盖其表面的底镀层设置有重复形成的多个凹凸部,进而在主体部的表面直接或隔着底镀层形成了Sn镀层。另外,多个凹凸部形成为面方向上的最大尺寸的平均值大于Sn镀层的平均厚度尺寸、并且深度尺寸的平均值大于Sn镀层的平均厚度尺寸。由此,即使是产生了外部的其他部件对Sn镀层的表面加压等状态而对Sn镀层作用外力的情况下,在凹凸部的凸部分也能够有效地分散外力而进行支撑,能够有效抑制Sn镀层的变形。另外,即使在外部的其他部件在电子部件的表面滑动的情况下,在凹凸部的凸部分也能够有效地分散并负担以滑动状态作用的外力,能够大幅抑制Sn镀层的变形。此外,多个凹凸部的各凸部分发挥分别构成分隔壁的功能,能够有效地抑制外力作用时Sn镀层中的应力传播。通过上述作用,本发明的电子部件能够抑制表面的Sn镀层处的晶须的产生。另外,本申请的发明人进行了验证试验,结果确认到本发明的电子部件能够确保充分的焊料润湿性和导电性。此外,通过验证试验还确认到上述效果,即,即使在对Sn镀层作用外力的情况下也能够抑制晶须的产生。

因此,根据本发明,能够提供一种电子部件,该电子部件可确保焊料润湿性和导电性,即使在对Sn镀层作用外力的情况下也能够抑制晶须的产生。

第2方案的电子部件的特征在于,在第1方案的电子部件中,多个上述凹凸部是通过对上述主体部的表面或上述底镀层实施电解处理而形成的。

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