[发明专利]一种大功率LED封装结构无效
申请号: | 201110169074.4 | 申请日: | 2011-06-22 |
公开(公告)号: | CN102324456A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 李革胜 | 申请(专利权)人: | 浙江英特来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/64;H01L33/62 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 led 封装 结构 | ||
1.一种大功率LED封装结构,包括基座,在基座上设置有发光芯片,其特征在于:所述基座为印制电路板(2),在所述印制电路板(2)上注塑形成有一层硅树脂层(1),硅树脂层(1)与印制电路板(2)表面密封相接。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构,其特征是在所述印制电路板(2)的四角上分别设置有通孔(3),所述硅树脂层(1)伸入到通孔内。
3.根据权利要求1或2 所述的一种大功率LED封装结构,其特征是在所述印制电路板(2)中间嵌置有沉铜散热片(6),所述沉铜散热片上部露置在印制电路板(1)上表面,沉铜散热片下部露置在印制电路板(1)下表面上,所述发光芯片(5)设置在沉铜散热片(6)上表面上。
4.根据权利要求3所述的一种大功率LED封装结构,其特征是所述沉铜散热片(6)侧面为阶梯状,所述印制电路板(1)与沉通散热片配合相接。
5.根据权利要求2所述的一种大功率LED封装结构,其特征是在所述印制电路板(2)的背面上还设置有沉铜电极(7),所述沉通电极与通孔(3)相连。
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