[发明专利]半导体发光结构

权利要求书

1.一种半导体发光结构，其特征在于其包括：

基板；

第一掺杂态半导体层，配置于所述基板上；

发光层，配置于所述第一掺杂态半导体层上；

第二掺杂态半导体层，配置于所述发光层上；

第一电传导层，配置于所述第一掺杂态半导体层上，其中所述第一电传导层与所述第一掺杂态半导体层之间形成第一接面；以及

多个第一导体，配置于所述第一掺杂态半导体层上，其中所述第一导体与所述第一掺杂态半导体层之间形成第二接面，且所述第二接面的电阻值小于所述第一接面的电阻值。

2.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述基板为不导电基板。

3.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一导体的配置图案包括线型、网状型或点状型的分布图案，且贯穿所述第一电传导层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一导体之其一为连接外部电源的电极，其中所述连接外部电源的电极体积大于其他所述第一导体。

5.根据权利要求4所述的半导体发光结构，其特征在于，所述连接外部电源的电极以外的所述第一导体其分布面积随着远离所述连接外部电源的电极而增加。

6.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一掺杂态半导体层包括平台部及下陷部，所述发光层及所述第二掺杂态半导体层配置于所述平台部上，且所述第一导体与所述第一电传导层配置于所述下陷部上。

7.根据权利要求6所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一电传导层环绕所述平台部。

8.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于其还包括：

第二电传导层，配置于所述第二掺杂态半导体层上，其中所述第二电传导层与所述第二掺杂态半导体层之间形成第三接面；以及

第二导体，贯穿所述第二电传导层而连接至所述第二掺杂态半导体层，其中所述第二导体与所述第二掺杂态半导体层之间形成第四接面，且所述第四接面的电阻值大于所述第三接面的电阻值。

9.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一电传导层的材料包括透明材料或半透明材料。

10.一种半导体发光结构，其特征在于其包括：

基板；

N型半导体层，配置于所述基板上；

发光层，配置于所述N型半导体层上；

P型半导体层，配置于所述发光层上；

第一电传导层，配置于所述N型半导体层上；以及

至少一第一导体，配置于所述N型半导体层上，且贯穿所述第一电传导层而与所述N型半导体层连接。

11.根据权利要求10所述的半导体发光结构，其特征在于，所述基板为不导电基板。

12.根据权利要求10所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一电传导层与所述N型半导体层之间形成第一接面，所述第一导体与所述N型半导体层之间形成第二接面，且所述第二接面的电阻值小于所述第一接面的电阻值。

13.根据权利要求10所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一导体的配置图案包括线型、网状型或点状型的分布图案，且贯穿所述第一电传导层。

14.根据权利要求10所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一导体配置于所述N型半导体层上，且所述第一导体之其一为连接外部电源的电极，其中所述连接外部电源的电极体积大于其他所述第一导体。

15.根据权利要求14所述的半导体发光结构，其特征在于，所述连接外部电源的电极以外的所述第一导体其分布面积随着远离所述连接外部电源的电极而增加。

16.根据权利要求10所述的半导体发光结构，其特征在于，所述N型半导体层包括平台部及下陷部，所述发光层及所述P型半导体层配置于所述平台部上，且所述第一导体与所述第一电传导层配置于所述下陷部上。

17.根据权利要求16所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一电传导层环绕所述平台部。