[发明专利]半导体发光结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光结构，尤其涉及一种半导体发光结构。

背景技术

随着光电技术的进步，发光二极管(light-emitting diode，LED)的制作与应用已逐渐趋于成熟。由于发光二极管具有低污染、低功率消耗、反应时间(response time)短、使用寿命长等优点，因此其已逐渐被应用在各式光源或照明的领域，而取代荧光灯管、白炽灯泡或卤素灯等传统发光元件。由于世界各国的环保意识逐渐高涨，在未来，发光二极管更可望成为主要照明光源，而取代目前荧光灯管的地位。

一般而言，发光二极管的电极的配置方式可分为水平配置式与垂直配置式，其中水平配置式是指正、负两电极配置于发光二极管外延结构的同一侧，而垂直配置式是指正、负两电极配置于发光二极管外延结构的相对两侧。具体而言，在电极呈水平配置的发光二极管结构中，正电极是配置于P型半导体层上，而负电极则是配置于N型半导体层上，且此两电极在垂直于发光层的方向上没有互相重叠。通常此两电极是以不透光的金属所制成，当此两电极的分布范围小时，虽可以减少发光层所发出的光被此两电极遮挡而降低光取出率的情形，然而却会使得从P型半导体流向N型半导体的电流过于集中在此两电极之间的一小部分区域中。电流过于集中的结果除了会导致所发出的光不均匀之外，亦会使得因电流通过所产生的热量过于集中，进而导致发光二极管散热不易而容易损坏，且容易导致发光二极管的发光效率下降。另一方面，若使此两电极的分布范围变大而改善电流过于集中的问题时，却又会使电极遮挡过多的光线，进而导致光取出率大幅下降。

发明内容

本发明提供一种半导体发光结构，其可有效提升出光均匀性。

本发明的一实施例提出一种半导体发光结构，包括基板、第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一电传导层及多个第一导体。第一掺杂态半导体层配置于基板上。发光层配置于第一掺杂态半导体层上，且第二掺杂态半导体层配置于发光层上。第一电传导层配置于第一掺杂态半导体层上，其中第一电传导层与第一掺杂态半导体层之间形成第一接面。这些第一导体配置于第一掺杂态半导体层上。第一导体与第一掺杂态半导体层之间形成第二接面，且第二接面的电阻值小于第一接面的电阻值。

本发明的另一实施例提出一种半导体发光结构，包括基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、第一电传导层及至少一第一导体。N型半导体层配置于基板上。发光层配置于N型半导体层上，且P型半导体层配置于发光层上。第一电传导层配置于N型半导体层上。第一导体配置于N型半导体层上，且贯穿第一电传导层而与N型半导体层连接。

在本发明的实施例的半导体发光结构中，由于采用了连接至第一导体的第一电传导层作为第一导体的延伸，因此本发明的实施例的半导体发光结构可使电流较为分散。如此一来，本发明的实施例的半导体发光结构便可有效解决目前的电流分布不均的问题进而提升出光效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明的一实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

图1B为图1A的半导体发光结构的上视示意图。

图1C为图1B的半导体发光结构沿着I-I线的局部剖面示意图。

图2为本发明的另一实施例的半导体发光结构的上视示意图。

图3为本发明的又一实施例的半导体发光结构的上视示意图。

图4A至图4E为本发明的一实施例的半导体发光结构的制作方法的流程示意图。

附图标记：

52、54：接合线

100、100a、100b：半导体发光结构

110：基板

120：缓冲层

130：第一掺杂态半导体层

132：平台部

134：下陷部

140：发光层

150：第二掺杂态半导体层

160、160a、160b：第一电传导层

170、170b、172、174、174b：第一导体

180：第二电传导层

190、190a：第二导体

192a：接合部

194a：延伸部

C：电洞

C’：电子

E1：第一端

E2：第二端

J1：第一接面

J2：第二接面

J3：第三接面