[发明专利]LED覆晶结构及其制造方法

权利要求书

1.一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片，所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极，所述LED芯片包括正电极和负电极，所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极，其特征在于，还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构由胶状绝缘材料制成。

2.如权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述阻挡结构为胶状高分子聚合物。

3.如权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述电路层的第一电极和第二电极的表面还分别形成有金属垫片，所述金属垫片对应所述LED芯片的正电极和负电极设置，对LED芯片起到定位及支撑的作用。

4.如权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述阻挡结构连接于LED芯片与基板之间，阻挡结构于LED芯片安装之前的初始状态的厚度大于其于LED芯片安装之后的变形状态的厚度。

5.如权利要求1-4任一项所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述LED芯片、电路层及基板共同围设形成一空间，所述阻挡结构容置于该空间内。

6.一种LED覆晶结构的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，该基板上形成有电路层，所述电路层包括相互绝缘的两电极；

点胶，在电路层两电极之间滴加胶状绝缘材料，形成阻挡结构；

覆晶，将LED芯片上的两个电极分别通过焊料覆晶连接于所述电路层的两电极，形成LED覆晶结构。

7.如权利要求6所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：还包括在点胶步骤之前于电路层的两电极上分别设置金属垫片的步骤，所述金属垫片对应LED芯片的电极设置，对LED芯片起到定位及支撑的作用。

8.如权利要求6或7任一项所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：所述阻挡结构为胶状高分子聚合物。

9.如权利要求6或7任一项所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：所述阻挡结构连接于所述LED芯片与基板之间，阻挡结构于覆晶步骤之前的初始状态的厚度大于其于覆晶步骤之后的变形状态的厚度。

10.如权利要求9所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：所述阻挡结构的初始状态呈半球状，该阻挡结构的变形状态呈椭圆形。