[发明专利]LED覆晶结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110169450.X 申请日: 2011-06-22
公开(公告)号: CN102842666A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 沈佳辉;洪梓健 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: led 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体结构,尤其涉及一种LED覆晶结构及其制造方法。

背景技术

目前的LED封装结构中,很多都采用覆晶结构固定LED芯片。在该LED覆晶结构中,LED芯片的电极和基板的电极之间通常使用焊料进行焊接,然而,所述焊料在焊接的过程中由于高温熔化,易产生溢流流入LED芯片的电极之间,从而造成短路等不良。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种防止焊料溢流的LED覆晶结构及其制造方法。

一种LED覆晶结构,包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片。所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述LED芯片包括分别与电路层的第一电极与第二电极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构,所述阻挡结构为胶状绝缘材料制成。

一种LED覆晶结构的制造方法,包括以下步骤:

提供一基板,该基板上形成有电路层,所述电路层包括相互绝缘的两电极;

点胶,在电路层两电极之间滴加胶状绝缘材料,形成阻挡结构;

覆晶,将LED芯片上的两个电极分别通过焊料覆晶连接于所述电路层的两电极,形成LED覆晶结构。

所述LED覆晶结构中,由于在所述电路层两电极之间形成了所述阻挡结构,并且所述阻挡结构为胶状绝缘材料,能够有效的阻挡焊料在焊接过程中熔化产生的溢流,避免因溢流而导致两电极短路等不良,同时,由于该阻挡结构为胶状绝缘材料,可根据需要产生形变,因此不会限制LED芯片设置的高度,方便生产制作及产品设计。

附图说明

图1是本发明一实施方式提供的LED覆晶结构的示意图。

图2是本发明一实施方式提供的LED覆晶结构制造方法中在基板上滴加胶状绝缘材料后的示意图。

主要元件符号说明

LED覆晶结构10基板11电路层12第一电极121第二电极122LED芯片13正电极131负电极132阻挡结构14金属垫片15第一焊料161第二焊料162空间18

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

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