[发明专利]含二苯并噻吩砜有机半导体材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201110169788.5 | 申请日: | 2011-06-22 |
公开(公告)号: | CN102838585A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;梁禄生;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | C07D333/76 | 分类号: | C07D333/76;H01L51/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含二苯 噻吩 有机半导体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料,其特征在于,该有机半导体材料具有下述通式(I):
式中,Ar-为芳香基团。
2.根据权利要求1所述的含二苯并噻吩砜有机半导体材料,其特征在于,所述芳香基团为下述结构式中的任一种:
3.一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
S1、提供如下结构式的化合物A和B:
A:B:
所述化合物B中,Ar-为芳香基团;
S2、惰性气体氛围中,将化合物A和B以1∶2~1∶3的摩尔比溶于含有催化剂和碱液的有机溶剂中,于60~130℃下进行Suzuki反应8~48h,制得结构式为的所述含二苯并噻吩砜有机半导体材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述化合物A是由下述步骤制得:
将结构式为的二苯并噻吩砜溶解在浓H2SO4中,在室温下加入N-溴代丁二酰亚胺,搅拌24h后,得到结构式为的所述化合物A。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述芳香基团为下述结构式中的任一种:
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述催化剂为有机钯或者有机钯和有机磷配体的混合物。
7.根据权利要求3或6所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述催化剂的摩尔用量为化合物A摩尔用量的0.001~0.1倍。
8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述碱液为Cs2CO3、K2CO3、Na2CO3或Li2CO3溶液中的任一种。
9.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚、苯、氯苯或甲苯中的任一种。
10.权利要求1或2所述的含二苯并噻吩砜有机半导体材料在有机电致发光器件中的应用。
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