[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：

基底；

有机发光元件，在基底上；

多个薄膜晶体管，用于驱动有机发光元件；

电容器，包括第一存储板和在第一存储板上的第二存储板，第一存储板和第二存储板之间具有栅极绝缘层，电容器连接到所述多个薄膜晶体管中的一部分薄膜晶体管，其中，第一存储板包括第一掺杂区、接触第一掺杂区的多个非掺杂区以及通过所述多个非掺杂区之间的间隙接触第一掺杂区的第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中：

第一存储板以线图案形成，

所述多个非掺杂区沿第一存储板的宽度方向彼此分开布置。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，第一掺杂区和第二掺杂区沿第一存储板的长度方向连接。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第二存储板位于所述多个非掺杂区和第二掺杂区上。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：

层间绝缘层，在第二存储板上，包括用于暴露第二存储板的一部分的存储板开口，

其中，存储板开口被形成为比第二存储板宽。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中：

所述多个薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，

驱动薄膜晶体管包括电连接到第一掺杂区的驱动栅极。

7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中：

层间绝缘层在第二存储板中形成接触孔，

所述有机发光二极管显示器还包括共电压线，所述共电压线形成在层间绝缘层上并通过所述接触孔电连接到第二存储板。

8.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成多晶硅的第一存储板；

形成覆盖第一存储板的栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上顺序地形成覆盖第一存储板的第二存储板和电容器中间体；

在第一存储板中通过将杂质注入到第一存储板的未被电容器中间体覆盖的部分来形成第一掺杂区；

形成具有暴露电容器中间体的存储板开口的层间绝缘层，层间绝缘层在所述存储板开口中具有位于电容器中间体的朝向第一掺杂区的边缘上的多个腐蚀防止层；

去除电容器中间体的一部分并去除腐蚀防止层；

通过第二存储板在第一存储板中注入杂质，以形成接触第一掺杂区的第二掺杂区。

9.如权利要求8所述的方法，其中：

第一存储板以线图案形成，

第二存储板和电容器中间体位于第一存储板的除了第一存储板的端部之外的区域上。

10.如权利要求9所述的方法，其中：

第一掺杂区位于第一存储板的所述端部上，

第二掺杂区沿第一存储板的长度方向延伸到第一掺杂区。

11.如权利要求8所述的方法，其中：

第二存储板被形成为透明导电层，

电容器中间体被形成为第一金属层/第二金属层/第一金属层的三层。

12.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成具有多个腐蚀防止层的层间绝缘层之后，在基底上形成数据金属层并使所述数据金属层图案化，

其中，在将所述数据金属层图案化时，将所述多个腐蚀防止层和电容器中间体同时去除。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述数据金属层与所述电容器中间体由相同的材料形成。

14.如权利要求12所述的方法，其中：

存储板开口被形成为比电容器中间体宽，

当去除电容器中间体时，电容器中间体的被所述多个腐蚀防止层覆盖的边缘部分保留。

15.如权利要求14所述的方法，其中，第二掺杂区通过第一存储板中的电容器中间体之间的间隙接触第一掺杂区。