[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。更具体地说，实施例涉及一种电容器。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示器包括多个像素，每个像素具有驱动电路和有机发光元件。驱动电路包括至少两个薄膜晶体管。驱动电路包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和至少一个电容器。有机发光元件包括像素电极、有机发射层和共电极。像素电极和共电极中的一个电极是空穴注入电极，另一个是电子注入电极。

电容器包括第一存储板和第二存储板，在第一存储板和第二存储板之间具有栅极绝缘层。第一存储板由多晶硅制成。

该背景技术部分中的以上公开信息仅仅是为了理解所描述的技术的背景。因此，它可能包含不构成在该国对本领域普通技术人员来说已知的现有技术的信息。

发明内容

实施例的特征在于提供一种通过使非掺杂区的产生最小化来防止第一存储板的信号中断的有机发光二极管显示器。

实施例的另一特征在于提供一种有机发光二极管显示器的制造方法，以通过使非掺杂区的产生最小化来防止第一存储板的信号中断。

上述和其它特征和优点中的至少一个可通过提供一种有机发光二极管显示器来实现，所述有机发光二极管显示器包括：基底；有机发光元件，形成在基底上；多个薄膜晶体管，用于驱动有机发光元件；电容器，包括第一存储板和在第一存储板上的第二存储板，第一存储板和第二存储板之间具有栅极绝缘层，电容器连接到所述多个薄膜晶体管中的一部分薄膜晶体管。

第一存储板包括：第一掺杂区；多个非掺杂区，接触第一掺杂区；第二掺杂区，通过所述多个非掺杂区之间的间隙接触第一掺杂区。

第一存储板以线图案形成，所述多个非掺杂区沿第一存储板的宽度方向彼此分开布置。

第一掺杂区和第二掺杂区沿第一存储板的长度方向连接。

第二存储板位于所述多个非掺杂区和第二掺杂区上。

有机发光二极管显示器还包括：层间绝缘层，在第二存储板上，包括用于暴露第二存储板的一部分的存储板开口，存储板开口被形成为比第二存储板宽。

所述多个薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管包括电连接到第一掺杂区的驱动栅极。

层间绝缘层在第二存储板中形成接触孔，所述有机发光二极管显示器还包括共电压线，所述共电压线形成在层间绝缘层上并通过所述接触孔电连接到第二存储板。

上述和其它特征和优点中的至少一个还可通过提供一种制造有机发光二极管显示器的方法来实现，所述方法包括以下步骤：在基底上形成多晶硅的第一存储板以及覆盖第一存储板的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上顺序地形成覆盖第一存储板的第二存储板和电容器中间体；在第一存储板中通过将杂质注入到第一存储板的未被电容器中间体覆盖的部分来形成第一掺杂区；形成具有暴露电容器中间体的存储板开口的层间绝缘层，层间绝缘层在所述存储板开口中具有在电容器中间体的朝向第一掺杂区的边缘上的多个腐蚀防止层；去除电容器中间体的一部分和腐蚀防止层；通过第二存储板在第一存储板中注入杂质，以形成接触第一掺杂区的第二掺杂区。

第一存储板以线图案形成，第二存储板和电容器中间体位于第一存储板的除了第一存储板的端部之外的区域上。

第一掺杂区位于第一存储板的所述端部上，第二掺杂区沿第一存储板的长度方向延伸到第一掺杂区。

第二存储板被形成为透明导电层，电容器中间体被形成为第一金属层/第二金属层/第一金属层的三层。

所述方法还包括以下步骤：在形成具有多个腐蚀防止层的层间绝缘层之后，在基底上形成数据金属层并使所述数据金属层图案化，其中，在将所述数据金属层图案化时，将腐蚀防止层和电容器中间体同时除去。

数据金属层与电容器中间体由相同的材料形成。

存储板开口被形成为比电容器中间体宽，当去除电容器中间体时，电容器中间体的被腐蚀防止层覆盖的边缘部分保留。

第二掺杂区通过第一存储板中的电容器中间体之间的间隙接触第一掺杂区。

附图说明

图1示出了根据示例性实施例的制造有机发光二极管(OLED)显示器的第一阶段的布局图。

图2示出了关于图1的线A-A’和B-B’的剖视图。

图3示出了根据示例性实施例的制造有机发光二极管(OLED)显示器的第二阶段的布局图。

图4示出了关于图3的线A-A’和B-B’的剖视图。

图5示出了根据示例性实施例的制造有机发光二极管(OLED)显示器的第三阶段的布局图。