[发明专利]MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种MOSFET，包括，

SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；

栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；

源区和漏区，所述源区和漏区嵌于所述半导体层中且位于所述栅堆叠两侧；

沟道区，嵌于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；

其中，所述MOSFET还包括：背栅和补偿注入区，所述背栅嵌于所述半导体衬底中，所述补偿注入区位于所述沟道区下方且嵌于所述背栅中，所述背栅的掺杂类型与所述补偿注入区的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的MOSFET，其中位于所述沟道区下方的所述背栅的掺杂浓度朝着所述沟道区的中心逐渐减小或逐渐增大。

3.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅的掺杂类型与MOSFET的导电类型相同或相反。

4.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅邻接于所述绝缘埋层。

5.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述补偿注入区的掺杂浓度朝着所述沟道区的中心逐渐增大。

6.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述补偿注入区的深度深于所述背栅。

7.根据权利要求1所述的MOSFET，其中在以隔离区隔离各MOSFET时，所述隔离区的深度深于所述背栅。

8.根据权利要求1所述的MOSFET，其中位于所述沟道区下方以外的所述背栅中的掺杂浓度为1x10¹⁷/cm³至1x10²¹/cm³。

9.根据权利要求8所述的MOSFET，其中位于所述沟道区下方的所述背栅中的掺杂浓度为1x10¹⁵/cm³至1x10¹⁸/cm³。

10.根据权利要求1所述的MOSFET，其中位于所述沟道区下方的所述补偿注入区中的掺杂浓度为1x10¹⁷/cm³至1x10²¹/cm³。

11.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅和所述补偿注入区中的掺杂元素分别为硼、铟、磷、砷、锑中的一种或其组合。

12.一种制造MOSFET的方法，包括

提供SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；

在所述半导体层上形成假栅；

执行第一离子注入，以形成背栅，所述背栅嵌于所述半导体衬底中；

执行第二离子注入，在所述半导体层中形成源区和漏区；

去除所述假栅以形成栅极开口；

经所述栅极开口，执行第三离子注入，以形成补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述背栅中，在第一次离子注入与第三次离子注入中使用的掺杂剂的掺杂类型相反；

在所述栅极开口中形成栅叠层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一离子注入的注入剂量为1x10¹³/cm²至1x10¹⁸/cm²。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一离子注入中，按照与SOI晶片的主表面垂直的方向注入离子，使得在所述假栅下方的所述半导体衬底中的掺杂浓度小于所述半导体衬底中的其他部分的掺杂浓度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一离子注入中，按照与SOI晶片的主表面倾斜的方向注入离子，使得在所述假栅下方的所述半导体衬底中的掺杂浓度大于所述半导体衬底中的其他部分的掺杂浓度。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一离子注入中采用的掺杂剂的掺杂类型与MOSFET的导电类型相同或相反。