[发明专利]一种单晶炉副室提升操作的自动保护方法有效
申请号: | 201110170912.X | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102242396A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 唐海亮;陈海云;刘立军 | 申请(专利权)人: | 西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B15/30 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶炉副室 提升 操作 自动 保护 方法 | ||
1.一种单晶炉副室提升操作的自动保护方法,其特征在于:在副室提升开关的行程开关上串联一个电接点压力表,该电接点压力表的测量值为单晶炉副室的压力值;
电接点压力表上设置一个低于大气压值的阈值,使得在实测炉压小于这个阈值时,控制副室提升的线路一直处于断开状态,大于或等于这个阈值时,提升副室的操作被执行。
2.根据权利要求1所述的单晶炉副室提升操作的自动保护方法,其特征在于:所述的副室提升开关的控制线路结构是,包括电接点压力表(1),电接点压力表(1)与副室上限位开关K1、副室下限位开关K2、继电器(3)、炉压报警装置(2)、拉升腔提升/下降手动按钮K3依次串联,继电器(3)另与副室提升电机(4)连接。
3.根据权利要求1所述的单晶炉副室提升操作的自动保护方法,其特征在于:所述的电接点压力表(1)的技术参数设置为,接口为M20×1.5;测量范围为-0.1~0.3MPa;
在电接点压力表(1)的压力表盘上分别设置指针一(5)、指针二(6)、指针三(7),其中的指针一(5)为正常的指针测量位置,所指示的为单晶炉副室的实际测量压力值;指针二(6)的指示值人为设定,当实测值小于此指针指示值时,输出线路闭合;指针三(7)的指示值人为设定,当实测值大于此指针指示值时,输出线路闭合。
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