[发明专利]一种锗基NMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110171004.2 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102222687A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄如;李志强;安霞;郭岳;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种锗基NMOS器件，其特征在于，在金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，具体是，在衬底上淀积底层绝缘介质材料，该绝缘介质材料的高钉扎系数S＞0.55，在底层绝缘介质材料上淀积一层上层绝缘介质材料，该上层绝缘介质材料的低导带偏移量ΔEC＜1.0eV，在上层绝缘介质材料上淀积金属源、漏。
2.如权利要求1所述的锗基NMOS器件，其特征在于，底层绝缘介质材料选用氮化硅、氧化铪或铪硅氧。
3.如权利要求1所述的锗基NMOS器件，其特征在于，上层绝缘介质材料可选用二氧化钛、氧化镓或锶钛氧。
4.如权利要求1所述的锗基NMOS器件，其特征在于，底层绝缘介质材料层的厚度为0.5～2nm。
5.如权利要求1所述的锗基NMOS器件，其特征在于，上层绝缘介质材料层的厚度约为0.5～4nm。
6.一种锗基肖特基NMOS晶体管的制备方法，步骤如下：
1-1)在锗基衬底上制作MOS结构；
1-2)淀积源漏区域的两层绝缘介质材料，具体是，在衬底上淀积底层绝缘介质材料，该绝缘介质材料的高钉扎系数S＞0.55，在底层绝缘介质材料上淀积一层上层绝缘介质材料，该上层绝缘介质材料的低导带偏移量ΔEC＜1.0eV，；
1-3)溅射低功函数金属薄膜，刻蚀形成金属源漏；
1-4)形成接触孔、金属连线。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤1-1)具体包括：
2-1)在衬底上制备隔离区；
2-2)淀积栅介质层以及栅；
2-3)形成栅结构；
2-4)形成侧墙结构。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤1-1)的锗基衬底包括体锗衬底、锗覆绝缘衬底(GOI)或外延锗衬底。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤1-2)的底层绝缘介质采用氮化硅、氧化铪或铪硅氧等高钉扎系数S介质材料；而上层绝缘介质采用二氧化钛、氧化镓或锶钛氧等低导带偏移量ΔEC介质材料。
10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤1-3)的金属薄膜为铝膜或其他低功函数金属膜。
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