[发明专利]氧化硅玻璃坩埚以及硅锭的制造方法

权利要求书

1.一种氧化硅玻璃坩埚，用于单晶硅拉晶，其特征在于：所述坩埚的壁具有自该坩埚的内表面形成至外表面的合成氧化硅玻璃层、天然氧化硅玻璃层、含杂质氧化硅玻璃层以及天然氧化硅玻璃层。

2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述含杂质氧化硅玻璃层在所述坩埚底部中的厚度比在所述坩埚侧壁部中的厚度薄，或者，在所述坩埚底部中未形成含杂质氧化硅玻璃层。

3.如权利要求1或2所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于:所述含杂质氧化硅玻璃层在所述坩埚侧壁部以及角部中的厚度是所述坩埚壁厚的30％～70％。

4.如权利要求1或2所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于:所述含杂质氧化硅玻璃层的杂质含量在20～500ppm范围内。

5.一种硅锭的制造方法，其特征在于包括：在权利要求1至4中的任意一项所述的氧化硅玻璃坩埚中熔化多晶硅并进行硅锭拉晶，之后再填充多晶硅并将其熔化后再度进行硅锭拉晶的工序。